[发明专利]一种基于硒化铋可饱和吸收体的高能量线性腔光纤激光器在审
申请号: | 202210070447.0 | 申请日: | 2022-01-21 |
公开(公告)号: | CN114597756A | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 孙硕;张华年;杨富豪;隋志琦;高金娟;魏云瑞;鲁成 | 申请(专利权)人: | 山东淄特新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01S3/106 | 分类号: | H01S3/106;H01S3/067;H01S3/08;C01B19/00;C01G29/00 |
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地址: | 255000 山东省淄博市张店区马尚*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 硒化铋可 饱和 吸收体 高能量 线性 光纤 激光器 | ||
1.一种高能量线性腔光纤激光器,其特征在于:所述激光器包括激光二极管泵浦源(1)、光纤布拉格光栅一(2)、波分复用器(3)、掺镱光纤(4)、单模光纤(5)、偏振控制器(6)、硒化铋可饱和吸收体(7)和光纤布拉格光栅二(8)。
2.根据权利要求1所述的一种高能量线性腔光纤激光器,其特征在于:所述激光二极管泵浦源(1)的中心波长为980nm;所述光纤布拉格光栅一(2)对1064.55nm至1065.75nm波长范围内的光反射率大于99.9%,尾纤为普通单模光纤;所述波分复用器(3)包括980nm输入端和1064nm输入端,尾纤为普通单模光纤;所述掺镱光纤(4)的型号为Yb-1200,长度为0.25m;所述单模光纤(5)的长度为180m;所述光纤布拉格光栅二(8)的反射中心波长为1065.18nm,反射率为60%,3dB带宽为0.92nm,尾纤为普通单模光纤;所述偏振控制器(6)的尾纤为普通单模光纤。
3.根据权利要求1所述的一种高能量线性腔光纤激光器,其特征在于:所述光纤布拉格光栅一(2)、波分复用器(3)的1064nm输入端、波分复用器(3)的透射端、掺镱光纤(4)、单模光纤(5)、偏振控制器(6)、硒化铋可饱和吸收体(7)和光纤布拉格光栅二(8)依次相连构成所述激光器的线性腔。其中,所述激光二极管泵浦源(1)的泵浦激光由波分复用器(3)的980nm输入端耦合进入线性腔,所述激光器的输出由光纤布拉格光栅二(8)进行输出,输出40%的腔内激光。
4.根据权利要求1所述的一种高能量线性腔光纤激光器,其特征如下:所述激光器具有脉冲束和暗脉冲两种锁模操作。在较低的泵浦功率下,本发明激光器可以实现脉冲束输出;在较高的泵浦功率下,本发明激光器可以实现暗脉冲输出。
5.根据权利要求1所述的一种高能量线性腔光纤激光器,其特征如下:所述激光器通过使用窄带宽的光纤布拉格光栅一(2)和光纤布拉格光栅二(8),将输出光谱的带宽限制在很窄的范围内。所述激光器为脉冲束锁模时,脉冲束的中心波长为1065.08nm,3dB带宽为0.025nm;所述激光器为暗脉冲锁模时,暗脉冲为三波长脉冲,每个波长的间隔为0.14nm,3dB带宽为0.061nm。
6.硒化铋可饱和吸收体的制备方法,其特征在于:具体步骤如下:
步骤1:将二氧化硅衬底分别用丙酮、乙醇和去离子水清洗。将硒粉放置在恒温卧式管式炉里,衬底被放置在距硒粉15cm处。随后管式炉在20分钟的时间内被加热至200℃,压强被抽至15Pa,由流量为50sccm的氩气携带着硒粉在二氧化硅衬底沉积30分钟,得到硒/二氧化硅衬底;
步骤2:将硒化铋粉末放置在玻璃管中,硒/二氧化硅衬底被放置距硒化铋粉末约17cm的氩气流向的下游区域。在55分钟的时间内炉子被加热至550℃,再将装有硒化铋粉末和硒/二氧化硅衬底的玻璃管转移至炉中,硒化铋粉末由流量为50sccm的氩气携带,沉积在硒/二氧化硅衬底上。最后,炉子在氩气中迅速冷却至环境温度,得到硒化铋薄膜;
步骤3:使用热解胶带将硒化铋薄膜从二氧化硅衬底上剥离,并将热解胶带附有硒化铋薄膜的一面粘附在光纤跳线端面上。将光纤跳线同热解胶带以130℃的温度加热7分钟,至热解胶带粘附力消失,硒化铋薄膜被转移至光纤跳线端面,通过法兰头与另一跳线相连以插入腔内。
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