[发明专利]简单剖面结构保偏母材及其高效制备方法在审
| 申请号： | 202210053205.0 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN114349328A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 李宝东;张飞;劳雪刚;陶泉;和联科;翟国华;凌明;胡家华 | 申请（专利权）人： | 江苏亨通光导新材料有限公司;江苏亨通光电股份有限公司;江苏亨通光纤科技有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/014 | 分类号： | C03B37/014 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王会 |
| 地址： | 215200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 简单 剖面 结构 保偏母材 及其 高效 制备 方法 | ||
1.简单剖面结构保偏母材，其特征在于，由内至外依次包括VAD芯层、VAD外侧包层和OVD包层，所述VAD芯层中掺锗，其相对折射率n1为0.5％～0.9％，所述VAD外侧包层中掺氟，其相对折射率n2为-0.05％～-0.1％。
2.根据权利要求1所述的简单剖面结构保偏母材的高效制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
首先采用VAD工艺制备SiO2松散体，在沉积过程中，VAD芯层掺锗，VAD芯层外侧沉积VAD外侧包层，再通过烧结掺氟工艺，在VAD外侧包层掺氟，随后进行动态保温处理、延伸和酸洗后通过OVD工艺制备OVD包层，通过烧结工艺，得到无缺陷玻璃母棒，再经孔加工后组装应力棒，实现保偏母材的制备。
3.根据权利要求2所述的简单剖面结构保偏母材的高效制备方法，其特征在于，所述VAD芯层掺GeO2，其相对折射率n1为0.5％～0.9％。
4.根据权利要求2所述的简单剖面结构保偏母材的高效制备方法，其特征在于，所述掺氟工艺中的温度为1100±20℃，氟源为CF4。
5.根据权利要求2所述的简单剖面结构保偏母材的高效制备方法，其特征在于，所述动态保温处理具体包括：
将掺氟后的玻璃棒放置于动态保温装置内进行动态保温处理，保温温度为1100±30℃，保温时间不小于26h，玻璃棒竖向或横向往复移动速度为2～10mm/min，旋转速度1～3转/min，保温结束后冷却到800±25℃取出。
6.根据权利要求2所述的简单剖面结构保偏母材的高效制备方法，其特征在于，所述酸采用HF溶液，所述HF溶液的浓度为6±2％，酸洗时间为35±10min。
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