[发明专利]使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片在审
申请号: | 202210050809.X | 申请日: | 2017-09-08 |
公开(公告)号: | CN114488706A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | M·N·J·范科尔维克;V·S·凯伯;M·J-J·维兰德 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;傅远 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 带电 粒子 波光 系统 制造 独特 芯片 | ||
1.一种使用无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法,所述无掩模光刻曝光系统使用无掩模图案写入器,所述方法包括:
生成用于控制所述无掩模图案写入器曝光晶片,以用于创建所述电子器件的束波控制数据,其中所述束波控制数据基于以下项生成:
设计版图数据,定义用于要从所述晶片制造的所述电子器件的多个结构,其中所述结构包括金属层之间的连接;以及
选择数据,定义所述设计版图数据的所述结构中的哪些结构适用于要从所述晶片制造的每个电子器件,所述选择数据定义用于所述电子器件的不同子集的所述结构的不同集合,其中所述设计版图数据包括非共用设计版图数据,所述非共用设计版图数据定义适用于所述电子器件的某些电子器件的结构,从所述某些电子器件中根据所述选择数据可选择所述结构的不同集合,以使得所述电子器件独特,
其中根据所述束波控制数据对所述晶片的曝光导致针对所述电子器件的不同子集曝光具有所述结构的不同集合的图案。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述设计版图数据包括:
共用设计版图数据,定义适用于所有所述电子器件的结构。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述选择数据针对所述电子器件中的每个电子器件,指定所述束波控制数据是包括还是不包括定义在所述设计版图数据中所定义的所述结构中的一个或多个结构的数据。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中所述设计版图数据仅包括定义能够根据所述选择数据选择的所述结构的设计版图数据。
5.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法,进一步包括:
经由第一网络路径,在所述无掩模光刻曝光系统中接收所述设计版图数据;以及
经由与所述第一网络路径分离的第二网络路径,在所述无掩模光刻曝光系统中接收所述选择数据。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的方法,还包括:接收指定在所述设计版图数据中定义的所述结构的位置的位置元数据。
7.根据权利要求1-6中的任一项所述的方法,其中生成所述束波控制数据的步骤附加地基于位置元数据,其中所述位置元数据指定在所述设计版图数据中定义的所述结构的位置。
8.根据权利要求6所述的方法,进一步包括:基于所述位置元数据和所述选择数据生成擦除掩模数据。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述束波控制数据的生成包括:将所述擦除掩模数据与所述设计版图数据或所述设计版图数据的导数合并,以从所述设计版图数据删除非选择的结构。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其中所述擦除掩模数据为位图格式。
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