[发明专利]一种X波段低剖面宽赋形天线

权利要求书

1.一种X波段低剖面宽赋形天线，包括圆极化容性表面辐射贴片（1）、上层介质板（2）、开槽金属地（4）、下层介质板（3）、微带馈线层（5）、金属空腔（6）以及贯穿该金属空腔（6）的第一馈电同轴线（7）和第二馈电同轴线（8），其特征在于，

所述的圆极化容性表面辐射贴片（1）设置于所述的上层介质板（2）的上表面，由一个圆形中心贴片（11）和环绕在该圆形中心贴片（11）外的外围贴片组构成，所述的中心贴片（11）的周缘上具有二个中心对称分布的缺口，所述的外围贴片组为由六个形状相同的外围贴片（12）构成环状，各外围贴片（12）之间、以及外围贴片（12）与中心贴片（11）之间均留有缝隙，且各外围贴片（12）与中心贴片（11）之间分别通过金属枝节相连通；

所述的开槽金属地（4）设置于所述的上层介质板（2）和下层介质板（3）之间，且中心设有十字形缝隙（41）；

所述的微带馈线层（5）设置于所述的下层介质板（3）的下表面，通过缝隙耦合馈电方式为所述的圆极化容性表面辐射贴片（1）馈电；

所述的金属空腔（6）设置于所述的下层介质板（3）的下方，外部激励源通过所述的第一馈电同轴线（7）和第二馈电同轴线（8）穿过所述的金属空腔（6）与微带馈线层（5）相连接以提供馈电激励；所述的微带馈线层（5）的中央设有圆形开口的内环馈线（53），以及环绕在该内环馈线（53）外围的、圆形开口的外环馈线（51）；所述的内环馈线（53）具有内环馈电端口（54）和内环馈线开路端，所述的外环馈线（51）具有外环馈电端口（52）和外环馈线开路端；

所述的第二馈电同轴内导体（81）通过与所述的内环馈线（53）连接到内环馈电端口（54）激励天线的边射圆极化模式，所述的第一馈电同轴内导体（71）通过与所述的外环馈线（51）连接到外环馈电端口（52）激励天线的主辐射方向介于边射和端射之间的圆极化模式，外部激励源同时通过第一馈电同轴线（7）和第二馈电同轴线（8）激励外环馈电端口（52）和内环馈电端口（54）使得两组圆极化模式方向图叠加，实现天线的宽波束赋形。

2.根据权利要求1所述的X波段低剖面宽赋形天线，其特征在于，多个形状相同的所述的外围贴片（12）为六等分的六个圆环贴片。

3.根据权利要求1所述的X波段低剖面宽赋形天线，其特征在于，所述的上层介质板介电常数较低，厚度较高；下层介质板的介电常数较高，厚度较低，从而馈线更容易产生激励效果。

4.根据权利要求1所述的X波段低剖面宽赋形天线，其特征在于，所述的下层介质板的金属馈线采用两条环形结构，每条馈线为十字缝隙的四条臂分别提供0°、90°、180°和270°的相位激励，形成圆极化辐射。