[发明专利]一种射频宽带小型化耦合器

权利要求书

1.一种射频宽带耦合器，其特征在于，包括变压器、正向耦合调整电路和反向耦合调整电路；所述正向耦合调整电路和反向耦合调整电路均包括多个阻值相等的并联连接的电阻器；以及，

所述正向耦合调整电阻的一端与所述变压器的次级线圈的一端电连接，另一端接地；所述反向耦合调整电阻的一端与所述变压器的次级线圈的另一端电连接，另一端接地。

2.根据权利要求1所述的射频宽带耦合器，其特征在于，所述变压器包括：磁芯、初级线圈和所述次级线圈；其中，

所述磁芯外形结构为方形,且中部设有矩形通孔；

所述初级线圈和次级线圈设置于印制板上，所述印制板穿过所述磁芯的矩形通孔，中部固定设置于所述磁芯的矩形通孔中。

3.根据权利要求2所述的射频宽带耦合器，其特征在于，所述次级线圈包括，设置于印制板顶层和底层的铜箔，所述顶层和底层的铜箔结构相同，两端分别通过所述正向耦合调整电阻和所述反向耦合调整电阻连接到地，形成带状线结构的接地金属带。

4.根据权利要求3所述的射频宽带耦合器，其特征在于，所述初级线圈包括，设置在印制板中间层的铜箔走线，所述铜箔走线与所述带状线结构的接地金属带平行，且宽度小于所述接地金属带的宽度，形成带状线内导体结构，所述铜箔走线的特性阻抗与所述宽带耦合器的端口特性阻抗相同。

5.根据权利要求1或2所述的射频宽带耦合器，其特征在于，所述磁芯的矩形通孔到其在磁芯上的对应面之间的距离相等。

6.根据权利要求4所述的射频宽带耦合器，其特征在于，在所述耦合器的正向耦合端还包括第一正向耦合电阻，反向耦合端还包括第一反向耦合电阻；所述内导体结构的两端分别设置过孔；所述内导体结构的一端通过过孔连接于所述耦合器的正向输入端口，另一端通过过孔连接于反向输入端口；

所述带状线结构的接地金属带一端通过第一正向耦合电阻连接到正向耦合端口，另一端经过第一反向耦合电阻连接到反向耦合端口。

7.根据权利要求6所述的射频宽带耦合器，其特征在于，所述印制板上以左右对称且上下镜像的结构设置所述正向耦合调整电阻和反向耦合调整电阻；

所述正向耦合调整电阻的个数为2n，其中，n个电阻设置于所述印制板正向耦合端顶层，剩余的n个电阻设置于所述印制板底层与所述顶层电阻镜像的位置；

对称的，所述反向耦合调整电阻的个数为2n，其中，n个设于所述印制板反向耦合端顶层，剩余的n个设于所述印制板底层与所述顶层电阻镜像的位置；

其中，n为大于1的正整数。

8.根据权利要求6或7所述的射频宽带耦合器，其特征在于，所述正向耦合端和反向耦合端还分别包括第二正向耦合电阻和第二反向耦合电阻；

在正向耦合端，所述第二正向耦合电阻连接于所述耦合器的正向输入端口和正向耦合端口之间；

对称的，在所述反向耦合端，所述第二反向耦合电阻连接于所述耦合器的反向输入端口和反向耦合端口之间。

9.根据权利要求8所述的射频宽带耦合器，其特征在于，所述2n个并联的耦合调整电阻的阻值均为2n*R_e，2n个电阻并联后等效阻值为R_e；所述第一正向耦合电阻和第一反向耦合电阻阻值相同，等效阻值为R；第二正向耦合电阻和第二反向耦合电阻的阻值相同，等效阻值为R_d，所述等效电阻R、R_d和R_e满足关系式：

R²＝R_d*R_e，

其中R同时为所述宽带耦合器的端口特性阻抗值。

10.根据权利要求6或7所述的射频宽带耦合器，其特征在于，同向耦合端口输出的信号，其耦合度满足公式：

A_c＝-20lg(R/R_e)。