[发明专利]一种基于贝叶斯优化的多Testbench模拟电路优化方法在审
申请号: | 202210039711.4 | 申请日: | 2022-01-13 |
公开(公告)号: | CN116484787A | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 曾璇;严昌浩;毕朝日;杨帆;周电;赵婧尧 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G06F30/373 | 分类号: | G06F30/373;G06F30/398 |
代理公司: | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人: | 吴桂琴 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 贝叶斯 优化 testbench 模拟 电路 方法 | ||
1.一种基于贝叶斯优化的多Testbench的模拟电路优化方法;其特征在于,其包括,首先,根据电路性能和Testbench的从属关系对电路性能进行划分,将由同一Testbench得到的电路性能分为一组;其次,为每个电路性能分别构建独立的高斯过程模型;第三,在每次迭代优化中,构建带仿真时间权重的约束预测熵搜索(wPESC)采集函数,选择能使wPESC函数取最大值的Testbench和设计点进行电路仿真;第四,每隔n个迭代轮次,对最严格的约束构建可行域期望提升(FEI)采集函数,应用多模态优化算法搜索FEI函数的局部峰值设计点,在所有局部峰值设计点对包含严格约束性能的Testbench进行电路仿真;最后,用仿真得到的结果更新数据集,进行下一次迭代优化,直到满足算法终止条件,如达到预设的最大允许电路仿真次数,或优化目标值已收敛;
其中:
输入:
1.被测模拟电路和所有测试电路网表、工艺库文件;
2.模拟电路设计参数x,以及设计参数允许的变化范围;
3.电路优化目标f(x),优化约束集合
4.仿真时间权重w,FEI迭代间隔轮次n;
5.初始随机采样点数Ninit;
6.算法终止条件,如最大允许的电路仿真次数,或优化目标值已收敛;
输出:
优化所得的电路设计参数以及对应的电路性能指标。
2.按权利要求1所述的方法,其特征是,所述方法包括具体步骤:
步骤1:根据电路性能和Testbench的从属关系对电路性能进行划分,将由同一仿真Testbench得到的电路性能分为一组;
步骤2:为每个电路性能分别构建独立的高斯过程模型;
步骤3:判断当前迭代次数是否为间隔轮次n的整数倍,如果是则跳转步骤5,否则跳转步骤4;
步骤4:为每个Testbench构建带仿真时间权重的约束预测熵搜索(wPESC)采集函数,选择最大化wPESC采集函数的Testbench及相应设计点进行仿真;
步骤5:对严格约束构建可行域期望提升(FEI)采集函数,应用多模态优化算法搜索FEI函数的局部峰值设计点,在所有局部峰值设计点对包含严格约束的Testbench进行电路仿真;
步骤6:若满足终止条件,则算法终止,否则将仿真结果加入训练集,转入步骤2。
3.按权利要求2所述的方法,其特征是,所述步骤1中,根据电路性能和Testbench的从属关系对电路性能进行划分,将由同一Testbench得到的电路性能分为一组;
设计参数x是设计空间D中d维向量,表示电阻值、电容值、晶体管的长宽等电路设计参数;不失一般性,典型的模拟电路参数优化问题可以抽象为带约束的单目标优化问题;电路性能包括优化目标性能和约束性能两类,其中待优化目标性能由函数f0(x)表示,ci(x)表示第i个约束指标,假设待优化问题共有Nc个约束,则带约束的单目标优化问题表示为:
对于多Testbench的模拟电路优化问题,首先根据Testbench的从属关系将电路性能分组;给定电路性能集合如果两个电路性能ci和cj可在相同的外围测试电路、相同激励源和相同的仿真类型,即同一个Testbench下仿真得到,则在两者之间可定义一个等价关系;依照上述等价关系,电路性能集合F被划分为集合F={Ft,t∈[1,|F|]},其中|F|表示Testbench总数,集合Ft为第t个Testbench可得到的所有电路性能集合;经过将电路性能依照Testbench分组,将原始优化问题(1)重新定义为带约束的多Testbench优化问题,即:
其中,是属于第t个Testbench的第j个电路性能,显然,问题(2)中的和问题(1)中的ci(x)存在一一对应关系。
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