[发明专利]电池放电保护装置

权利要求书

1.一种电池放电保护装置，其特征在于，包括：

第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极接电池正极，所述第一PMOS管的漏极接所述电池输出端(OUT)；

栅极驱动单元，所述栅极驱动单元输出端接所述第一POMS管的栅极，所述栅极驱动单元根据所述电池输出端电压，控制所述第一PMOS管通断；

电池掉电监测单元，所述电池掉电监测单元的输入端接电池正极，输出端接第一PMOS管的栅极；其中，当所述电池掉电监测单元检测到电池掉电时，控制所述第一PMOS管断开；

包括保护状态释放控制单元，所述保护状态释放控制单元的输出端接栅极驱动单元第二输入端；当电池输出端(OUT)电压低于供电端(VDD)电压时，所述保护状态释放控制单元通过所述栅极驱动单元控制所述第一PMOS管间隔时间断开，所述供电端(VDD)是指对电池放电保护装置供电的供电端；

包括电压比较单元，所述电压比较单元的输出端接保护状态释放控制单元输入端，用于对电池输出端(OUT)电压和供电端(VDD)电压比较；其中，当电池输出端(OUT)电压低于供电端(VDD)电压时，所述电压比较单元向所述保护状态释放控制单元输出高电平信号。

2.根据权利要求1所述的电池放电保护装置，其特征在于：包括退耦单元，所述退耦单元一端接供电端(VDD),另一端接电池正极。

3.根据权利要求1所述的电池放电保护装置，其特征在于：所述电池掉电监测单元包括第一二极管(D1)、第一电容(C1)以及第一三极管(Q1)，第一二极管(D1)的阳极耦接电池的正极，第一二极管(D1)的阴极耦接第一电容(C1)的一端和第一三极管(Q1)的发射极，第一三极管(Q1)的集电极耦接第一PMOS管的栅极，第一三极管(Q1)的基极耦接电池的正极。

4.根据权利要求1所述的电池放电保护装置，其特征在于：所述电池掉电监测单元包括第二二极管(D2)、第二电容(C2)以及第二PMOS管(P2)，第二二极管(D2)的阳极耦接电池的正极，第二二极管(D2)的阴极耦接第二电容(C2)的一端和第二PMOS管(P2)的源极及其衬底，第二PMOS管(P2)的漏极耦接第一PMOS管的栅极，第二PMOS管(P2)的栅极耦接电池的正极。

5.根据权利要求1所述的电池放电保护装置，其特征在于：包括欠压锁定单元，所述欠压锁定单元的输出端接栅极驱动单元第一输入端，其中，当所述欠压锁定单元检测到供电端(VDD)电压低于设定阈值时，向所述栅极驱动单元输出高电平信号，使所述栅极驱动单元控制所述第一PMOS管栅极电压接近供电端(VDD)电压。

6.根据权利要求5所述的电池放电保护装置，其特征在于：所述栅极驱动单元包含第一反向器至第四反向器(X31—X34)和第一与非门(X35)、第三PMOS管(P3)、第三NMOS管(N3)和第三电阻(R3)，

第一反向器(X31)输入端接收欠压锁定单元输出信号(UVLO_P)，

第二反向器(X32)输入端接收保护状态释放控制单元的输出信号(PRO_REL_N)，

第一与非门(X35)输入端接收第一反向器(X31)和第二反向器(X32)的输出信号，

第三反向器(X33)和第四反向器(X34)输入端接收第一与非门(X35)的输出信号，

第三PMOS管(P3)的栅极耦接第三反向器(X33)的输出端，第三PMOS管(P3)的源极及其衬底耦接供电端(VDD)，第三PMOS管(P3)的漏极耦接第三电阻(R3)的一端，并耦接第一PMOS管的栅极，

第三NMOS管(N3)的栅极耦接第四反向器(X34)的输出端，第三NMOS管(N3)的源极及其衬底接地，第三NMOS管(N3)的漏极耦接第三电阻(R3)的另一端。

7.根据权利要求1所述的电池放电保护装置，其特征在于：栅极驱动单元和电池掉电监测单元采用微控制单元MCU实现。