[发明专利]一种新型的POR电路

说明书

本发明属于模拟电路技术领域，具体的说是涉及一种新型的POR电路。本发明用于解决一般的based BG的POR的大面积的情况，通过使用单一BJT以及PTAT based comparator可以达到用较小的面积达到POR功能的结果，同时使用高端BJT，NBL可以很好的保护BJT的电流，不然使用低端BJT，NBL的吸收少子的能力会导致电阻串的电流有影响。

技术领域

本发明属于模拟电路技术领域，具体的说是涉及一种新型的POR电路。

背景技术

Power on reset使用简单的电路来检查电源电压的裕度，从而产生POR信号给到相应的数字电路，保证数字电路的正常工作。

现有的POR电路，通常是使用低端BJT，其数量通常为2个，因此导致存在面积较大的问题，不利于小型化，同时NBL的吸收少子的能力会导致电阻串的电流有影响。

发明内容

针对上述问题，本发明提出一种使用单一BJT的新型的POR电路。

本发明的技术方案是：

一种新型的POR电路，包括BJT管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、电流源、第一MOS管、第二MOS管和比较器；其中，BJT管的基极和集电极接电源，其发射极依次通过第二电阻和第一电阻后接地；第一MOS管的栅极接第二电阻和第一电阻的连接点，第一MOS管的源极接电流源的输出端，第一MOS管的漏极通过第三电阻后接地；电流源的输入端接电源；第二MOS管的源极接地电流源的输出端，其栅极接地，其漏极通过第四电阻后接地；比较器的负输入端接第一MOS管和第三电阻的连接点，比较器的正输入端接第二MOS管和第四电阻的连接点，比较器的输出端输出POR信号。

进一步的，所述第二电阻和第一电阻构成分压网络。

进一步的，所述第一MOS管和第二MOS管用于提供内嵌式PTAT电压。

进一步的，设M2的宽长比是W/L，M1的宽长比是m*W/L，m为比例系数，M1和M2设置在亚阈值区，可得第一MOS管的栅源电压V_gs1和第二MOS管的栅源电压V_gs2的差值为：

其中，V_th为阈值电压，η为非理想因子常数，V_T为热电压，I_d2为M2的漏电流，I_d1为M1的漏电流，K_d2I₀为V_gs2为0是M2的漏电流，K_d1I₀为V_gs1为0时M1的漏电流；

I₀＝μC_ox(η-1)V_T²

其中，μ为沟道迁移率，C_ox为MOS管单位面积的栅氧化层电容。

进一步的，所述POR电流为基于bandgap的POR电路，则当输入电压等于Vtrig时，第一电阻上的压降等于Vgs1-Vgs2时，比较器翻转输出为高，得到POR信号，所述Vtrig为：

其中，R₁为第一电阻阻值，R₂为第二电阻的阻值，V_be为BJT的base-emitter电压。

本发明的有益效果是：本发明用于解决一般的based BG的POR的大面积的情况，通过使用单一BJT以及PTAT based comparator可以达到用较小的面积达到POR功能的结果，同时使用高端BJT，NBL可以很好的保护BJT的电流，不然使用低端BJT，NBL的吸收少子的能力会导致电阻串的电流有影响。

附图说明