[发明专利]一种硅麦克风传感器结构及制造方法在审

申请号：	202210022674.6	申请日：	2022-01-10
公开（公告）号：	CN114363782A	公开（公告）日：	2022-04-15
发明（设计）人：	陈桂斌;胡锐刚;庞宝龙;杨辉	申请（专利权）人：	华天科技（南京）有限公司
主分类号：	H04R19/00	分类号：	H04R19/00;H04R19/04;H04R31/00
代理公司：	西安通大专利代理有限责任公司 61200	代理人：	王艾华
地址：	211800 江苏省***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种麦克风传感器结构制造方法
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【权利要求书】：

1.一种硅麦克风传感器结构，其特征在于，包括基板(1)、MEMS芯片(3)、Asic芯片(4)和硅片(5)，所述基板(1)上设有进音孔(6)，所述MEMS芯片(3)设于进音孔(6)处，所述MEMS芯片(3)与基板(1)之间形成第一音腔(7)，所述进音孔(6)与第一音腔(7)连通；所述硅片(5)设于MEMS芯片(3)上方，所述硅片(5)上设有第二音腔(8)；所述Asic芯片(4)与基板(1)连接；所述MEMS芯片(3)、Asic芯片(4)和硅片(5)外侧设有塑封体(10)；所述塑封体(10)外侧设有金属屏蔽层(2)。

2.根据权利要求1所述的硅麦克风传感器结构，其特征在于，所述硅片(5)与MEMS芯片(3)之间采用硅-硅键合进行连接。

3.根据权利要求1所述的硅麦克风传感器结构，其特征在于，所述MEMS芯片(3)和Asic芯片(4)均与基板(1)利用BUMP材料(9)进行贴合。

4.根据权利要求3所述的硅麦克风传感器结构，其特征在于，所述进音孔(6)处的BUMP材料(9)呈环状。

5.根据权利要求3所述的硅麦克风传感器结构，其特征在于，所述BUMP材料(9)与基板(1)之间采用回流焊方式进行电气连接。

6.根据权利要求1所述的硅麦克风传感器结构，其特征在于，所述进音孔(6)处利用锡膏进行MEMS芯片(3)与基板(1)的连接。

7.一种硅麦克风传感器结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，将硅片(5)与MEMS芯片(3)进行连接，形成组合体；

S2，将组合体、Asic芯片(4)分别与基板(1)进行连接；

S3，将组合体、Asic芯片(4)和基板(1)利用塑封体(10)进行密封；

S4，在塑封体(10)外侧加工金属屏蔽层(2)。

8.根据权利要求7所述的硅麦克风传感器结构的制作方法，其特征在于，在S2中，采用FC倒装工艺或者DPSSMT工艺将连接后的硅片(5)和MEMS芯片(3)、Asic芯片(4)分别与基板(1)进行连接。

9.根据权利要求7所述的硅麦克风传感器结构的制作方法，其特征在于，在S3中，采用over molding工艺进行塑封体(10)的密封。