[发明专利]气体传感器

权利要求书

1.一种气体传感器，其特征在于，包括：

PCB基板；

低浓度气体检测芯片，所述低浓度气体检测芯片包括第一微热板及设置于所述第一微热板上的半导体气敏层，所述第一微热板设置于所述PCB基板，并与所述PCB基板电连接；及

高浓度气体检测芯片，所述高浓度气体检测芯片包括第二微热板及设置于所述第二微热板上的催化气敏层，所述第二微热板设置于所述PCB基板，并与所述PCB基板电连接，

所述低浓度气体检测芯片与所述高浓度气体检测芯片串联连接，在可燃气体的浓度不大于2000ppm时，所述低浓度气体检测芯片的电阻值与可燃气体的浓度呈定量关系，在可燃气体的浓度范围大于2000ppm时，所述高浓度气体检测芯片的电阻值与所述可燃气体的浓度呈定量关系。

2.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所述低浓度气体检测芯片电阻值与可燃气体浓度的关系符合 QUOTE，其中c为可燃气体的浓度，RL为低浓度气体检测芯片的电阻值，A/B/C为所述半导体气敏层的特性参数；

所述高浓度气体检测芯片的电阻值与可燃气体的浓度的关系符合 QUOTE ，c为可燃气体的浓度，RH为所述高浓度气体检测芯片的电阻值，k/a为所述催化气敏层的特性参数。

3.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所述第一微热板包括第一硅基底及设置于所述第一硅基底上的第一加热电阻膜，所述半导体气敏层至少部分覆盖所述第一加热电阻膜，且所述半导体气敏层与所述第一加热电阻膜形成欧姆接触。

4.根据权利要求3所述的气体传感器，其特征在于，所述第一加热电阻膜为离散网格状结构，所述第一加热电阻膜的厚度为0.5um-10um，工作电阻为1Ω-60Ω。

5.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所述第二微热板包括第二硅基底及设置于所述第二硅基底上的第二加热电阻膜，所述催化气敏层至少部分覆盖所述第二加热电阻膜，且所述催化气敏层与所述第二加热电阻膜形成欧姆接触。

6.根据权利要求5所述的气体传感器，其特征在于，所述第二加热电阻膜为离散网格状结构，所述第二加热电阻膜的厚度为0.5um-10um，工作电阻为1Ω-60Ω。

7.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所述半导体气敏层为氧化铟或者二氧化锡半导体气敏材料，所述半导体气敏层的厚度为0.1um-50um，工作电阻为100Ω-100KΩ。

8.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，所述催化气敏层为氧化铝、氧化硅或氧化锆负载的贵金属纳米催化粒子，所述催化气敏层的厚度为0.1um-50um，工作电阻＞10MΩ。

9.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，还包括第一吸附层及第二吸附层，所述第一吸附层设置于所述半导体气敏层远离所述第一微热板的一侧，所述第二吸附层设置于所述催化气敏层远离所述第二微热板的一侧。

10.根据权利要求1所述的气体传感器，其特征在于，还包括盖帽，所述盖帽罩设于所述PCB基板，所述低浓度气体检测芯片与所述高浓度气体检测芯片收容于所述盖帽与所述PCB基板形成的空间内。

11.根据权利要求10所述的气体传感器，其特征在于，所述盖帽包括支撑板及与所述支撑板的顶板，所述支撑板设置于所述PCB基板，所述顶板与所述PCB基板相对设置，所述顶板上还设置有吸附滤过层。