[发明专利]感测装置

权利要求书

1.一种感测装置，其特征在于，包括：

读取线；

数据线；

第一电源线，其中所述读取线垂直于所述第一电源线；以及

感测单元，包括：

第一晶体管，具有第一栅极、第一漏极与第一源极，其中所述第一源极沿一方向延伸，所述第一漏极耦接到所述第一电源线，所述第一漏极在所述第一晶体管的俯视图上具有凹面，所述第一源极对应所述凹面设置，且所述第一源极与所述凹面沿所述方向排列；

第二晶体管，具有第二栅极、第二漏极与第二源极，其中所述第二源极耦接到所述第一栅极；

第三晶体管，具有第三栅极、第三漏极与第三源极，其中所述第三漏极耦接到所述第一源极，所述第三源极耦接到所述数据线，且所述第三栅极耦接到所述读取线；

感光元件，包括光电二极管，所述光电二极管的一端耦接到所述第一栅极；以及

偏压线，耦接到所述光电二极管的另一端，

其中所述偏压线所提供的电压不同于所述第一电源线的电压。

2.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，所述第一晶体管另包括第一半导体层，所述第二晶体管另包括第二半导体层，所述第三晶体管另包括第三半导体层，其中所述第一半导体层、所述第二半导体层及所述第三半导体层的至少其中之一包括氧化物半导体。

3.根据权利要求2所述的感测装置，其特征在于，所述第一半导体层包括多晶硅或非晶硅。

4.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，所述第一晶体管另包括第一半导体层，所述第二晶体管另包括第二半导体层，所述第三晶体管另包括第三半导体层，其中所述第一半导体层、所述第二半导体层及所述第三半导体层的至少其中之一包括非晶硅。

5.根据权利要求4所述的感测装置，其特征在于，所述第一半导体层包括多晶硅。

6.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，所述第一晶体管另包括第一半导体层，所述第二晶体管另包括第二半导体层，所述第三晶体管另包括第三半导体层，其中所述第一半导体层、所述第二半导体层及所述第三半导体层的至少其中之一包括多晶硅。

7.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，所述光电二极管具有阳极与阴极，所述阳极耦接到所述第一栅极，且所述阴极耦接到所述偏压线。

8.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，所述光电二极管具有阳极与阴极，所述阴极耦接到所述第一栅极，且所述阳极耦接到所述偏压线。

9.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，所述凹面具有凹陷部，所述第一源极对应设置于所述凹面的所述凹陷部内。

10.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，于俯视方向上，部分所述凹面呈弧形。