[发明专利]微电子密封件内的屏障结构

说明书

本申请公开了微电子密封件内的屏障结构。一种器件(100)包括第一衬底(114)。所述器件(100)还包括在所述第一衬底(114)上的包括金属层(120)的屏障结构(106)，其中所述屏障结构(106)形成腔室(102)。所述器件(100)还包括在所述金属层(120)上的第二衬底，其中所述金属层(120)在所述第一衬底(114)和所述第二衬底之间延伸，并且其中所述金属层(120)包括在所述腔室(102)内接触所述第一衬底(114)的倾斜边缘。

相关申请的交叉引用

本申请要求美国临时专利申请号63/134,655的优先权，该专利申请在2021年1月7日提交，名称为“Physical Barrier Structure Formed Within A MicroelectronicEnclosure”，并且由此通过引用以其整体并入本文。

背景技术

半导体器件使用各种液体或蒸气材料来制造。成品半导体器件还可在器件内具有不同划定区域，这些区域都在密封体积内。在制造期间，液体或蒸气材料可在半导体器件的不同划定区域中移动。

发明内容

根据本说明书的至少一个示例，一种方法包括在第一衬底的至少一部分上施加介电材料。所述方法还包括在所述第一衬底的所述至少一部分上沉积籽晶金属。所述方法还包括在籽晶金属上沉积镀覆光致抗蚀剂。所述方法还包括在所述籽晶金属上镀覆金属线，其中所述镀覆光致抗蚀剂形成所述金属线的边界，并且其中所述金属线形成屏障结构的至少一部分。所述方法还包括剥离所述镀覆光致抗蚀剂的至少一部分并蚀刻所述籽晶金属的至少一部分。所述方法还包括相对于所述屏障结构定位第二衬底以形成腔室。

根据本说明书的至少一个示例，一种器件包括第一衬底。所述器件还包括屏障结构，所述屏障结构包括位于所述第一衬底上的金属层，其中所述屏障结构形成腔室。所述器件还包括第二衬底，所述第二衬底位于所述金属层上，其中所述金属层在所述第一衬底和所述第二衬底之间延伸，并且其中所述金属层包括在所述腔室内接触所述第一衬底的倾斜边缘。

根据本说明书的至少一个示例，一种器件包括半导体器件，所述半导体器件位于第一衬底上。所述器件还包括籽晶金属，所述籽晶金属位于所述第一衬底上。所述器件还包括金属线，所述金属线位于所述籽晶金属上。所述器件还包括一个或多个金属层，所述一个或多个金属层堆叠在所述金属线上，其中第二衬底定位在所述一个或多个金属层中的至少一者上方，所述第二衬底覆盖所述半导体器件。所述器件还包括屏障结构，所述屏障结构包括所述金属线，其中所述屏障结构在所述第一衬底和所述第二衬底之间延伸以形成所述半导体器件位于其中的腔室，并且其中所述屏障结构包括倾斜边缘，所述第一衬底接触所述倾斜边缘的一端。

附图说明

图1A是根据各种示例的具有屏障结构的器件。

图1B是根据各种示例的具有屏障结构的器件。

图2是根据各种示例的屏障结构的放大视图。

图3A-图3E示出了根据各种示例的用于产生屏障结构的过程流程。

图4是根据各种示例的具有屏障结构的器件和不具有屏障结构的器件的缺陷计数的曲线图。

图5是根据各种示例的用于产生屏障结构的方法的流程图。

具体实施方式

在一些半导体器件中，在制造期间，液体或蒸气材料在器件的不同区域之间的转移可引起可损坏器件的化学相互作用。例如，半导体器件可具有经由氧化物层和各种金属层来彼此耦接的两个晶片。在半导体器件的制造期间使用的化学物质可与金属层相互作用并产生不期望的污染物。一种此类污染物是与铟反应而引起的铟盐。这种污染物可在制造期间或之后损坏半导体器件并且导致可靠性问题。