[发明专利]一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒

权利要求书

1.一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉包括：

设置在水冷套上方位置且呈圆筒状的加热装置，所述加热装置被配置成使得单晶硅棒沿着竖直方向向上移动时能够进入至所述加热装置限定出的热处理室中进行热处理；其中，所述加热装置用于提供600℃至800℃的热处理温度以形成BMD核心；

设置在所述加热装置上方且呈圆筒状的冷却装置，所述冷却装置被配置成使得热处理后的所述单晶硅棒沿着竖直方向继续向上移动时能够进入至所述冷却装置限定出的冷却室中进行冷却处理；其中，所述冷却装置被配置成使得热处理后的所述单晶硅棒的冷却速率为大于2.7℃/min以提高BMD的形核数；其中，

所述拉晶炉还包括提拉机构，所述提拉机构被配置成使得所述单晶硅棒沿着竖直方向向上的提拉速度V与所述单晶硅棒轴向方向上的平均温度梯度G的比例参数V/G处于1.1(V/G)_临界至1.2(V/G)_临界之间以提高BMD的形核数；其中(V/G)_临界指的是P_V区域与P_I区域之间边界位置上的V/G值。

2.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉还包括水冷套，所述水冷套被配置成使得拉制得到的所述单晶硅棒在1150℃至1020℃之间快速冷却，以使得所述单晶硅棒的冷却速率大于2.7℃/min。

3.一种用于拉制单晶硅棒的方法，其特征在于，所述方法包括：

将多晶硅原料放置于石英坩埚中并熔化后，下降籽晶以拉制单晶硅棒；

所述单晶硅棒沿着竖直方向以设定的提拉速度V向上被提拉并移动至加热装置限定出的热处理室中进行热处理；其中，所述加热装置用于提供600℃至800℃的热处理温度以形成BMD核心；

热处理后的所述单晶硅棒继续沿着竖直方向以设定的提拉速度V向上被提拉并移动至冷却装置限定出的冷却室中进行冷却处理；其中，所述冷却装置被配置成使得热处理后的所述单晶硅棒的冷却速率为大于2.7℃/min以提高BMD的形核数；其中，

所述单晶硅棒沿着竖直方向向上的提拉速度V与所述单晶硅棒轴向方向上的平均温度梯度G的比例参数V/G处于1.1(V/G)_临界至1.2(V/G)_临界之间以提高BMD的形核数；其中(V/G)_临界指的是P_V区域与P_I区域之间边界位置上的V/G值。

4.一种单晶硅棒，其特征在于，所述单晶硅棒由根据权利要求3所述的方法拉制得到。