[发明专利]用于确定光学系统中光学元件的加热状态的方法和装置在审
| 申请号: | 202180085509.9 | 申请日: | 2021-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN116670590A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
| 发明(设计)人: | J·舒勒;M·洛伦兹;E·施耐德;V·米捷夫;R·马克 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王蕊瑞 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 确定 光学系统 光学 元件 加热 状态 方法 装置 | ||
1.一种用于确定光学系统中、特别是微光刻投射曝光设备中的光学元件的加热状态的方法,其中,在所述光学系统的操作期间,电磁辐射入射到所述光学元件(400)的入射表面(401)上,
-其中,使用校准参数、基于使用至少一个温度传感器(420)执行的温度测量来估计所述入射表面(401)处存在的平均温度,所述至少一个温度传感器(420)被布置在距所述入射表面(401)一定距离处;并且
-其中,根据所述光学系统中设定的照明设置来不同地选择所述校准参数。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述校准参数是基于先前为参考照明设置确定的参考校准参数来确定的。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述校准参数是基于所述光学系统中当前设定的所述照明设置的变量的至少一次测量或模拟来确定的,所述变量取决于所述光学元件(400)的热状态。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,取决于所述光学元件(400)的热状态的所述变量是在所述光学系统的操作期间、在相对于光路位于所述光学元件(400)下游的平面中生成的强度分布。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,取决于所述光学元件(400)的热状态的所述变量是在所述光学系统的操作期间、在相对于光路位于所述光学元件(400)下游的平面中生成的波前。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,还考虑所述温度传感器(420)距所述入射表面(401)的距离来确定所述校准参数。
7.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,使用所述温度传感器(420)重复执行温度测量,以便确定时间曲线。
8.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述温度传感器(420)被布置在从所述光学元件(400)背离所述入射表面(401)的一侧延伸到所述光学元件(400)中的接入通道(411)中。
9.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所估计的平均温度被用作输入信号,所述输入信号用于对表征所述光学元件(400)和/或所述光学系统的至少一个参数进行闭环控制。
10.如前述权利要求中的一项所述的方法,其特征在于,基于所估计的平均温度来控制所述光学元件(400)的预热,从而至少部分地补偿所述光学元件(400)的加热状态在所述光学系统的操作期间随时间发生的变化。
11.如前述权利要求中的一项所述的方法,其特征在于,所述光学元件(400)是反射镜。
12.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述光学元件(400)被设计用于小于30nm、特别是小于15nm的工作波长。
13.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述光学系统是微光刻投射曝光设备。
14.如前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,根据投射曝光设备中使用的掩模母版来不同地选择所述校准参数。
15.如权利要求13或14所述的方法,其特征在于,在所述微光刻投射曝光设备的操作期间估计所述平均温度。
16.一种用于确定光学系统中、特别是微光刻投射曝光设备中的反射镜的加热状态的装置,其特征在于,所述装置被配置成执行如前述权利要求中任一项所述的方法。
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