[发明专利]包括支柱的存储节点中的减少电荷约束区的电子装置以及相关方法及系统

权利要求书

1.一种电子装置，其包括：

交替的介电材料与导电材料的堆叠；

支柱区，其垂直延伸穿过所述堆叠；

氧化物材料，其在所述支柱区内且横向邻近于所述堆叠的所述介电材料及所述导电材料；及

存储节点，其横向邻近于所述氧化物材料且在所述支柱区内，所述存储节点的电荷约束区与所述堆叠的所述导电材料水平对准，且所述电荷约束区在垂直方向上的高度小于所述堆叠的相应横向邻近导电材料在所述垂直方向上的高度。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述氧化物材料包括横向邻近于所述堆叠的所述导电材料的第一部分及横向邻近于所述堆叠的所述介电材料的第二部分，所述第二部分相对于所述第一部分更远地延伸到所述支柱区的中央部分中。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述存储节点包括与所述堆叠的所述介电材料水平对准的外围区，所述外围区相对于所述电荷约束区更远地延伸到所述支柱区的所述中央部分中。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其进一步包括所述支柱区内的绝缘材料，其中与所述堆叠的所述导电材料水平对准的所述绝缘材料的第一部分相对宽于与所述堆叠的所述介电材料水平对准的所述绝缘材料的第二部分。

5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中横向邻近于所述堆叠的所述导电材料的中央部分的所述氧化物材料具有第一厚度，且横向邻近于所述导电材料的上部及下部的所述氧化物材料具有第二更大厚度。

6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述堆叠的所述导电材料相对于邻近于所述支柱区的所述堆叠的所述介电材料凹入，且所述氧化物材料的一部分垂直邻近于所述介电材料的相邻部分。

7.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述氧化物材料垂直邻近于所述存储节点的所述电荷约束区。

8.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述电荷约束区的所述高度与所述堆叠的所述相应横向邻近导电材料的所述高度的比率在约0.4与约0.7之间。

9.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述电荷约束区的所述高度在约10nm与约25nm之间，且所述堆叠的所述相应横向邻近导电材料的所述高度在约25nm与约30nm之间。

10.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的电子装置，其中所述电子装置在所述氧化物材料与所述堆叠的所述导电材料之间基本上没有经氧化氮化物材料。

11.一种电子装置，其包括：

交替的介电材料与导电材料的堆叠；及

所述堆叠中的一或多个支柱，所述一或多个支柱包括：

氧化物材料，其横向邻近于所述介电材料及所述导电材料；

存储节点，其包括电荷约束区及外围区，所述电荷约束区在所述氧化物材料的垂直邻近部分之间且横向邻近于所述堆叠的所述导电材料；

隧道材料，其横向邻近于所述存储节点；及

通道材料，其横向邻近于所述隧道材料。

12.根据权利要求11所述的电子装置，其中所述氧化物材料及所述存储节点在垂直方向上是连续材料。

13.根据权利要求11或权利要求12所述的电子装置，其中所述氧化物材料的一部分在所述堆叠的垂直邻近介电材料之间。

14.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述堆叠的所述垂直邻近介电材料之间的所述氧化物材料的所述部分在所述导电材料近端，且所述氧化物材料的所述垂直邻近部分在所述导电材料远端。