[发明专利]谐振多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

第一导电板和第二导电板，所述第一导电板与第一外部端子电连接，所述第二导电板与第二外部端子电连接，其中所述第一导电板和所述第二导电板形成电容耦合；以及

陶瓷部分，位于所述第一导电板和所述第二导电板之间，其中所述陶瓷部分包括顺电性陶瓷电介质；

其中所述多层陶瓷电容器具有额定直流电压和额定交流V_PP，其中所述额定交流V_PP高于所述额定直流电压。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中所述额定交流V_PP为950V_PP至5700V_PP。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中所述顺电性陶瓷电介质包括由通式A定义的氧化物：

(Ca_eSr_g)_j(Zr_kTi_p)_qO₃

通式A

其中：

e＝0.60至1.00；

g＝0.00至0.40；

k＝0.50至0.97；

p＝0.03到0.50；且

j/q＝0.99至1.01。

4.根据权利要求3所述的多层陶瓷电容器，其中所述陶瓷部分的至少90摩尔％是由通式A定义的所述顺电性陶瓷电介质。

5.根据权利要求3所述的多层陶瓷电容器，其中所述Ca或Zr被Ba或Mg取代。

6.根据权利要求3所述的多层陶瓷电容器，其中所述Zr或Ti被Hf取代。

7.根据权利要求3所述的多层陶瓷电容器，其中所述顺电性陶瓷电介质还包括次级成分，所述次级成分包括选自Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr、Al、Li、B、Si、W、Ta、Mo、Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Yu中的至少一种元素。

8.根据权利要求7所述的多层陶瓷电容器，其中所述顺电性陶瓷电介质包括至少0.5摩尔％的所述次级成分。

9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中所述顺电性陶瓷电介质由通式B定义：

U_aX_bY_cZ_d((Ca_1-x-ySr_xM_y)_m(Zr_1-u-vTi_uHf_v)O₃)_1-a-b-c-d

通式B

其中：

M是选自Ba和Mg中的至少一种碱土金属；

U包括选自Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr和Al中的至少一种第一过渡金属的碳酸盐或氧化物；

X包括至少一种烧结助剂，所述烧结助剂包括含有选自Li、B和Si中的至少一种元素的化合物；

Y包括选自W、Ta和Mo中的至少一种第二过渡金属的碳酸盐或氧化物；

Z包括选自Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种稀土元素；

0a0.06；

0.0001b0.15；

0c≤0.06；

0d0.06；

0≤x≤1；

0≤y≤1；

0≤u≤1；

0≤v≤0.2；且

0.98≤m≤1.02。