[发明专利]用于计算与部件相关联的空间图的方法和装置在审

专利信息
申请号: 202180061429.X 申请日: 2021-06-17
公开(公告)号: CN116097175A 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: M·G·E·施奈德;K·范伯克尔;金文杰 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 张宁;郑振
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 计算 部件 相关 空间 方法 装置
【说明书】:

一种用于计算与部件相关联的空间图的方法,该空间图指示部件中的热膨胀参数的空间变化,该方法包括:提供或确定作为时间的函数的部件中的温度分布;使用所提供的或所确定的部件中的温度分布以及与部件直接或间接相互作用的辐射束的光学测量来计算与部件相关联的空间图,该光学测量与所提供的或所确定的部件中的温度分布时间同步。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年7月17日提交的EP申请20186351.1的优先权,并且其整体通过引用而并入本文。

技术领域

发明涉及用于计算与部件(例如,光刻设备中的部件)相关联的空间图的方法和设备。更具体地,该方法涉及例如在光刻设备中对导致热致像差或对准误差的部件加热进行建模。

背景技术

光刻设备是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如在图案形成装置(例如,掩模)处将图案投射到被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了在衬底上投射图案,光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比,使用波长在4-20nm范围内,例如6.7nm或13.5nm的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。

用于将图案从图案形成装置成像到衬底上的投射系统将在投射图像的波前中引起一些像差。

在将图案投射到衬底上期间,投射系统将变热,并且这将导致投射系统的成像特性漂移。在EUV光刻中,这种现象被称为反射镜加热。

尽管投射系统中的反射镜针对EUV辐射透射而被优化,但是EUV能量的大部分(也是带外)在反射镜中被吸收并且被转变成热能。这种加热在反射镜的材料中引起热应力,导致光学表面的变形。这些变形最终引起投射系统中的像差,从而引起成像误差。此外,直接或间接的加热可以在其它部件的材料中引起热应力,诸如透镜、衬底夹具、图案形成装置(即,掩模版或掩模)或图案形成装置夹具。

本发明的一个目的是提供一种用于计算与部件(例如,光刻设备中的诸如反射镜的部件)相关联的空间图的方法。空间图用于预测和建模像差和/或对准误差,这消除或减轻了与现有技术相关联的一个或多个问题。

发明内容

根据本发明的第一方面,提供了一种用于计算与部件相关联的空间图的方法,空间图指示该部件中的热膨胀参数的空间变化,方法包括:提供或确定作为时间的函数的部件中的温度分布;使用所提供或所确定的部件中的温度分布和与部件间接或直接相互作用的辐射束的光学测量来计算与部件相关联的空间图,光学测量与所提供或所确定的部件中的温度分布时间同步。

这可以具有提高部件的加热模型的准确度的优点。可以改善包括具有加热模型的部件的真实系统的光学性能的匹配。建模数据和测量数据之间的匹配可能相对较好。空间图的计算可以被认为是空间图的校准。

部件可以是光刻设备的部件。

方法还可以包括数学优化在空间图中指示的热膨胀参数的空间变化。

数学优化可以包括线性优化。

数学优化可以包括加权优化或约束优化。

加权优化可以包括最小二乘优化或正则化优化,而约束优化可以包括使用线性程序或二次程序。

数学优化可以包括使用热膨胀关系的系数中的至少一个系数,诸如多项式系数或其它基函数系数。

空间图可以是过零温度空间图,过零温度空间图可以指示部件中的过零温度的空间变化。

光学测量可以是波前像差测量和/或对准测量。

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