[发明专利]流体处理系统、方法以及光刻设备在审
| 申请号: | 202180061113.0 | 申请日: | 2021-06-14 |
| 公开(公告)号: | CN116096506A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
| 发明(设计)人: | C·M·鲁普斯;C·W·J·贝伦德森;E·H·E·C·尤姆麦伦;D·A·维斯梅耶 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | B06B1/00 | 分类号: | B06B1/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王益 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 流体 处理 系统 方法 以及 光刻 设备 | ||
1.一种光刻设备,包括:衬底保持件,被配置成保持衬底;投影系统,被配置成将辐射束投影到由所述衬底保持件保持的所述衬底上;流体处理系统,被配置成将浸没液体约束于介于所述投影系统的一部分与所述衬底的表面之间的空间中,由此所述辐射束能够通过传递穿过所述浸没液体而照射所述衬底的所述表面;以及
激励装置,被配置成在所述衬底中产生朝向所述浸没液体传播的表面声波。
2.根据权利要求1所述的光刻设备,其中,所述激励装置被配置成产生频率大于1MHz、理想地大于10MHz、更理想地大于50MHz的表面声波。
3.根据权利要求1或2所述的光刻设备,其中,所述激励装置包括电磁装置,所述电磁装置被配置成在所述衬底中产生涡电流并且被配置成产生与所述衬底的所述表面平行的静磁场。
4.根据权利要求3所述的光刻设备,其中,所述激励装置被安装到所述流体处理系统。
5.根据权利要求1或2所述的光刻设备,其中,所述激励装置包括压电换能器,所述压电换能器接触所述衬底的边缘、或被集成到所述衬底保持件中、或被集成到所述衬底中。
6.根据权利要求5所述的光刻设备,还包括联接液体分配器,所述联接液体分配器被配置成分配联接液体以将所述压电换能器联接到所述衬底。
7.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中,存在围绕所述流体处理系统而间隔开的至少四个激励装置。
8.根据权利要求7所述的光刻设备,还包括定位系统和控制器,所述定位系统被配置成在与所述衬底的所述表面基本上平行的平面中相对于所述投影系统移动所述衬底保持件,并且所述控制器被配置成响应于所述衬底保持件的移动来控制所述激励装置。
9.根据权利要求8所述的光刻设备,其中,所述控制器被配置成在所述衬底保持件的速度大于预定阈值时启用所述激励装置,和/或其中,所述控制器被配置成选择性地启用所述激励装置中的一个或更多个,以产生沿在所述衬底保持件的移动方向的相反方向上具有分量的方向上传播的表面声波。
10.一种在光刻设备中进行的器件制造方法,所述光刻设备包括:衬底保持件,被配置成保持衬底;投影系统,被配置成将辐射束投影到由所述衬底保持件保持的所述衬底上;以及流体处理系统,被配置成将浸没液体约束于介于所述投影系统的一部分与所述衬底的表面之间的空间中,由此所述辐射束能够通过传递穿过所述浸没液体而照射所述衬底的所述表面,所述方法包括:
使用液体约束结构将浸没液体约束于介于所述液体约束结构的至少一部分与所述衬底的所述表面之间的空间中;
使经图案化的辐射束通过所述空间中的所述浸没液体而投射到所述衬底上;
在与所述辐射束的传播方向基本上垂直的扫描方向上移动所述衬底;以及
在所述衬底中产生朝向所述浸没液体传播的表面声波。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述表面声波被产生为沿具有与所述扫描方向反向平行的分量的方向传播。
12.根据权利要求10或11所述的方法,其中,所述表面声波的频率大于1MHz、理想地大于10MHz、更理想地大于50MHz。
13.根据权利要求10、11或12所述的方法,其中,
通过在所述衬底中产生涡电流并且通过施加与所述衬底的所述表面平行的静磁场来产生所述表面声波,或者,
由接触所述衬底的边缘、或被集成到所述衬底保持件中、或被集成到所述衬底中的压电换能器来产生所述表面声波。
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