[发明专利]使用蚀刻掩模来制造压花设备的方法和系统在审
| 申请号： | 202180054693.0 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN116547119A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | C·伯格利;G·杜米特鲁 | 申请（专利权）人： | 伯格利-格拉维瑞斯股份有限公司 |
| 主分类号： | B29C33/00 | 分类号： | B29C33/00 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 苏蕾 |
| 地址： | 瑞士马林*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 蚀刻 掩模来 制造 压花 设备 方法 系统 | ||
1.一种制造用于压花系统的结构化的压花圆筒的方法，包括以下步骤：
通过真空室中的第一(等离子体增强)气相沉积，提供硬涂层压花辊，所述硬涂层压花辊具有圆柱形芯和所述圆柱形芯上的结构承载层，所述结构承载层的厚度在1μm和10μm之间的范围内，所述结构承载层的表面粗糙度值Ra小于100nm；
通过第二(等离子体增强)气相沉积，在所述结构承载层上沉积硬掩模层，所述硬掩模层的厚度等于或小于100nm；
从所述硬掩模层去除材料，以形成至少一个开口；以及
蚀刻以在所述硬掩模层的所述至少一个开口处从所述结构承载层去除材料，以在所述至少一个开口处在所述结构承载层中形成表面空腔，所述表面空腔在所述结构承载层内形成结构压花特征，从而形成所述结构化的压花圆筒。
2.根据权利要求1所述的制造所述结构化的压花圆筒的方法，其中，所述结构承载层包括等离子体增强化学气相沉积法沉积的类金刚石碳DLC。
3.根据权利要求1所述的制造所述结构化的压花圆筒的方法，其中，所述硬掩模层的厚度大于5nm且小于50nm。
4.根据权利要求1所述的制造所述结构化的压花圆筒的方法，其中，所述硬掩模层包括无机材料。
5.根据权利要求1所述的制造所述结构化的压花圆筒的方法，其中，通过激光烧蚀执行从所述硬掩模层去除材料的步骤。
6.根据权利要求1所述的制造所述结构化的压花圆筒的方法，其中，通过电子束结构化来执行从所述硬掩模层去除材料的步骤。
7.根据权利要求5所述的制造所述结构化的压花圆筒的方法，其中，对所述硬掩模层执行所述激光烧蚀的步骤包括使用直接激光烧蚀、使用激光束的掩模投影或使用空间光调制器SLM来成形激光束。
8.根据权利要求6所述的制造所述结构化的压花圆筒的方法，其中，在执行所述电子束结构化的步骤中，所述硬掩模层的厚度等于或小于50nm。
9.根据权利要求1所述的制造所述结构化的压花圆筒的方法，其中，对所述结构承载层的蚀刻步骤包括等离子体辅助的反应离子蚀刻。
10.根据权利要求1所述的制造所述结构化的压花圆筒的方法，其中，所述蚀刻步骤包括湿法蚀刻。
11.根据权利要求1所述的制造所述结构化的压花圆筒的方法，其中，在所述蚀刻步骤中形成的所述表面空腔的深度大于50nm且小于7μm。
12.根据权利要求1所述的制造所述结构化的压花圆筒的方法，其中，所述第一(等离子体增强)气相沉积和所述第二(等离子体增强)气相沉积依次在所述真空室中处理。
13.一种制造用于压花系统的结构化的压花圆筒的方法，包括以下步骤：
通过真空室中的第一(等离子体增强)气相沉积，提供硬涂层压花辊，所述硬涂层压花辊具有圆柱形芯和所述圆柱形芯上的结构承载层，所述结构承载层的厚度在1μm和10μm之间的范围内，所述结构承载层的表面粗糙度值Ra小于100nm；
通过第二(等离子体增强)气相沉积，在所述结构承载层上沉积硬掩模层，所述硬掩模层的厚度等于或小于100nm；
对在所述硬掩模层的顶部提供的电子束光刻胶层执行电子束写入；
显影并去除电子束光刻胶层以暴露所述硬掩模层；
使用不影响所述结构承载层的蚀刻剂来蚀刻所述硬掩模层；以及
蚀刻所述结构承载层以在所述结构承载层内形成表面空腔，所述表面空腔在所述结构承载层内形成结构压花特征。
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