[发明专利]用于光电装置的苯并[B][1,4]苯并氮硼烷在审
| 申请号： | 202180052704.1 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN116134039A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | S·赛费尔曼;M·丹茨;S·迪克 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | C07F5/02 | 分类号： | C07F5/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 袁媛;康泉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 光电 装置 氮硼烷 | ||
1.有机分子，包括式I的结构：
其中
X和Y彼此独立地选自由直接键、N-R3、O、S、Si(R3)2和C(R3)2组成的组；Z为直接键；
m为0或1；
n为0或1；
o为0或1；
R1在每次出现时独立地选自由下述组成的组：氢，
氘，
N(R3)2，
OR3，
SR3，
Si(R3)3，
B(OR3)2，
OSO2R3，
CF3，
CN，
卤素，
C1-C40-烷基，
其任选地被一个或多个取代基R3取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；
C1-C40-烷氧基，
其任选地被一个或多个取代基R3取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；
C1-C40-硫代烷氧基，
其任选地被一个或多个取代基R3取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；
C2-C40-烯基，
其任选地被一个或多个取代基R3取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；
C2-C40-炔基，
其任选地被一个或多个取代基R3取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；
C6-C60-芳基，
其任选地被一个或多个取代基R3取代；
Ra和R2在每次出现时独立地选自由下述组成的组：
氢，
氘，
N(R3)2，
OR3，
SR3，
Si(R3)3，
B(OR3)2，
OSO2R3，
CF3，
CN，
卤素，
C1-C40-烷基，
其任选地被一个或多个取代基R3取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；
C1-C40-烷氧基，
其任选地被一个或多个取代基R3取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；
C1-C40-硫代烷氧基，
其任选地被一个或多个取代基R3取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；
C2-C40-烯基，
其任选地被一个或多个取代基R3取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；
C2-C40-炔基，
其任选地被一个或多个取代基R3取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；
C6-C60-芳基，
其任选地被一个或多个取代基R3取代；和
C3-C57-杂芳基，
其任选地被一个或多个取代基R3取代；
R3独立地选自由下述组成的组：
氢，
氘，
N(R4)2，
OR4，
SR4，
Si(R4)3，
B(OR4)2，
OSO2R4，
CF3，
CN，
卤素，
C1-C40-烷基，
其任选地被一个或多个取代基R4取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；
C1-C40-烷氧基，
其任选地被一个或多个取代基R4取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；
C1-C40-硫代烷氧基，
其任选地被一个或多个取代基R4取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；
C2-C40-烯基，
其任选地被一个或多个取代基R4取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；
C2-C40-炔基，
其任选地被一个或多个取代基R4取代并且
其中一个或多个非相邻CH2-基团任选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；
C6-C60-芳基，
其任选地被一个或多个取代基R4取代；和
C3-C57-杂芳基，
其任选地被一个或多个取代基R4取代；
R4在每次出现时各自独立地选自由下述组成的组：
氢，氘，卤素，OPh，SPh，CF3，CN，Si(C1-C5-烷基)3，Si(Ph)3，
C1-C5-烷基，
其中任选地一个或多个氢原子独立地被氘、卤素、CN或CF3取代；
C1-C5-烷氧基，
其中任选地一个或多个氢原子独立地被氘、卤素、CN或CF3取代；
C1-C5-硫代烷氧基，
其中任选地一个或多个氢原子独立地被氘、卤素、CN或CF3取代；
C2-C5-烯基，
其中任选地一个或多个氢原子独立地被氘、卤素、CN或CF3取代；
C2-C5-炔基，
其中任选地一个或多个氢原子独立地被氘、卤素、CN或CF3取代；
C6-C18-芳基，
其任选地被一个或多个C1-C5-烷基取代基取代；
C3-C17-杂芳基，
其任选地被一个或多个C1-C5-烷基取代基取代；
N(C6-C18-芳基)2，
N(C3-C17-杂芳基)2；和
N(C3-C17-杂芳基)(C6-C18-芳基)，
其中
相邻基团Ra任选地彼此键合以形成芳基环或杂芳基环，其任选地被一个或多个C1-C5-烷基取代基、氘、卤素、CN或CF3取代；
相邻基团R2任选地彼此键合并形成芳基环或杂芳基环，其任选地被一个或多个C1-C5-烷基取代基、氘、卤素、CN或CF3取代；
相邻基团R1任选地彼此键合并形成芳基，其任选地被一个或多个C1-C5-烷基取代基、氘、卤素、CN或CF3取代；并且
至少一个氢原子任选地被卤原子或氘原子取代。
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