[发明专利]用于有机电子器件中的式(I)的有机化合物、包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、包含所述化合物或组合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及包括所述有机电子器件的显示器件

权利要求书

1.一种式(I)的化合物，

其中A¹选自式(II)

X¹选自CR¹或N；

X²选自CR²或N；

X³选自CR³或N；

X⁴选自CR⁴或N；

X⁵选自CR⁵或N；

R¹和R⁵(如果存在)独立地选自CN、CF₃、卤素、Cl、F、H或D；

R²、R³和R⁴(如果存在)独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C₁至C₈烷基、卤素、Cl、F、H或D；

其中当R¹、R²、R³、R⁴和R⁵中的任一个存在时，那么相应X¹、X²、X³、X⁴和X⁵不是N；

前提是

–R¹和R⁵中的至少一个存在并独立地选自CN或CF₃；

A²选自式(III)

其中Ar独立地选自被取代的C₆至C₁₈芳基和被取代的C₂至C₁8杂芳基，其中Ar上的取代基独立地选自CN、部分或全氟化的C₁至C₆烷基、卤素、Cl、F、D；

R'选自Ar、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基或C₃至C₁₈杂芳基、部分氟化或全氟化的C₁至C₈烷基、卤素、F或CN；

其中星号“*”表示结合位置；

其中每个Ar被至少两个CN基团取代；

A³选自式(II)或式(III)；并且

A¹和A²被不同地选择。

2.根据权利要求1所述的化合物，所述化合物选自式(IV)，

其中B¹选自式(V)，

B³和B⁵是Ar，以及B²、B⁴和B⁶是R'。

3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中所述化合物包括少于九个CN基团。

4.根据权利要求1至3所述的化合物，其中R¹和R⁵均存在并独立地选自CN或CF₃。

5.根据权利要求1至4所述的化合物，其中R'选自部分氟化或全氟化的C₁至C₈烷基、F或CN。

6.根据权利要求1至5所述的化合物，其中Ar包括两个相邻CN基团。

7.一种组合物，所述组合物包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物，

8.一种有机半导体层，其中所述有机半导体层包括根据权利要求1至6中的任一项所述的化合物或根据权利要求7所述的组合物。