[发明专利]摄像装置及电子设备在审
申请号: | 202180043372.0 | 申请日: | 2021-07-12 |
公开(公告)号: | CN116018818A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 佐藤骏介;米田诚一;根来雄介;广濑丈也;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H04N25/70 | 分类号: | H04N25/70;H01L27/146;H01L29/786 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种包括多个像素块的摄像装置,
其中,所述像素块包括第一层及第二层,
所述第一层具有与所述第二层重叠的区域,
在所述像素块中所述第一层包括多个像素电路及多个第一存储电路,所述第二层包括多个积和运算电路、多个第一二值化电路及多个第二二值化电路,
并且,所述像素电路及所述第一存储电路包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管。
2.一种包括多个像素块的摄像装置,
其中,所述像素块包括第一层、第二层及第三层,
所述第一层位于所述第二层和所述第三层之间或者所述第三层位于所述第一层和所述第二层之间,
所述第一层至所述第三层具有互相重叠的区域,
在所述像素块中所述第一层包括多个像素电路,所述第二层包括多个积和运算电路、多个第一二值化电路及多个第二二值化电路,
所述第三层包括多个第一存储电路,
并且,所述像素电路及所述第一存储电路包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的摄像装置,
其中所述积和运算电路、所述第一二值化电路及所述第二二值化电路包括在沟道形成区域中包含硅的晶体管。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像装置,
其中所述像素电路和所述第一二值化电路的数量相同,
并且所述像素电路与所述第一二值化电路中的一个电连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像装置,
其中所述第一二值化电路中的一个与所述多个积和运算电路电连接。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的摄像装置,
其中所述第一存储电路中的一个与所述多个积和运算电路电连接。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的摄像装置,
其中所述积和运算电路和所述第二二值化电路的数量相同,
并且所述积和运算电路中的一个与所述第二二值化电路中的一个电连接。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的摄像装置,
其中所述像素电路的驱动电路及所述第一存储电路的驱动电路设置在所述第二层中。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的摄像装置,还包括第二存储电路,
其中所述第二存储电路的输入端子与所述第二二值化电路中的多个电连接,
并且所述第二存储电路的输出端子与所述多个积和运算电路电连接。
10.根据权利要求9所述的摄像装置,
还包括第三存储电路及第三二值化电路,
其中所述第三存储电路通过所述第三二值化电路与所述多个积和运算电路电连接。
11.根据权利要求10所述的摄像装置,
其中所述第二存储电路、所述第三存储电路及所述第三二值化电路设置在所述第二层中。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的摄像装置,
其中所述金属氧化物包含In、Zn、M(M是Al、Ti、Ga、Ge、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd和Hf中的一个或多个)。
13.一种包括权利要求1至12中任一项所述的摄像装置以及显示装置的电子设备。
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