[发明专利]显示装置、制造显示装置的方法和电子仪器在审
申请号: | 202180032026.2 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN115462180A | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 市川朋芳 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H05B33/02 | 分类号: | H05B33/02;G09F9/00;G09F9/30;G09F9/302;G09F9/33;H01L27/32;H05B33/10;H05B33/12;H01L51/50;H05B33/24;H05B33/26 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 沈丹阳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 电子仪器 | ||
通过使像素布置成二维矩阵的形式形成显示装置,像素具有通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件。通过形成透光的上部电极,然后在上部电极上依次堆叠发光单元和包括金属材料的下部电极来形成发光元件。
技术领域
本公开涉及显示装置、用于该显示装置的制造方法以及电子仪器。
背景技术
近年来,作为能够取代液晶显示装置的显示装置,使用有机材料的电致发光(EL)的显示装置受到关注。使用有机EL的显示装置也开始倾向于应用于直视显示器(诸如监视器)以及需要约几微米的精细像素间距的超小显示器。
用于超小型显示应用的许多显示装置等具有例如这样的结构,其中形成包括发光层的发光单元,并且在发光单元上形成透光的上部电极,使得在上部电极侧接收来自发光单元的光(例如,参见专利文献1)。通常使用例如溅射法形成透光的上部电极。
引用列表
专利文献1:JP 2006-201421 A。
发明内容
技术问题
采用例如溅射的方法形成发光单元,然后在发光单元上形成上部电极,会导致发光单元被溅射损坏。如果发光单元损坏,导致发光单元发光所需的电压将增加,从而提供阻碍增加显示装置的亮度的原因。
因此,本公开的目的是提供包括通过形成透光上部电极而不损坏的发光单元的显示装置、包括显示装置的电子仪器、以及用于制造显示装置的方法。
问题的解决方案
为了实现该目的,根据本公开的显示装置,其中像素以二维矩阵布置,每个像素包括通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件,并且通过形成透光的上部电极,然后将发光单元和由金属材料形成的下部电极顺序地堆叠到上部电极上来形成发光元件。
为了实现该目的,根据本公开的一种用于制造显示装置的方法,其中像素以二维矩阵布置,每个像素包括通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件,该方法包括:通过在基底材料上形成透光的上部电极,然后在上部电极上依次堆叠发光单元和由金属材料形成的下部电极来形成发光元件的步骤。
为了实现该目的,根据本公开的电子仪器包括:显示装置,其中像素以二维矩阵布置,每个像素包括通过堆叠上部电极、发光单元和下部电极形成的发光元件,并且通过形成透光的上部电极,然后将发光单元和由金属材料形成的下部电极顺序地堆叠到上部电极上来形成发光元件。
附图说明
图1是根据本公开的第一实施方式的显示装置的示意性平面图。
图2为用于说明第m行第n列像素的连接关系的电路示意图。
图3是根据第一实施方式的显示装置的示意性局部截面图。
图4是图3中由A-A表示的部分的示意性截面图。
图5是由图3中的B-B表示的部分的示意性截面图。
图6是由图3中的C-C表示的部分的示意性截面图。
图7A是用于示出像素中的发光单元的堆叠关系的示意图。
图7B是用于示出像素中的发光单元的堆叠关系的示意图。
图8A是继图7B之后的用于示出像素中的发光单元的堆叠关系的示意图。
图8B是继图7B之后的用于示出像素中的发光单元的堆叠关系的示意图。
图8C是继图7B之后的用于说明像素中的发光单元的堆叠关系的示意图。
图9A是用于说明制造根据第一实施方式的显示装置的方法的基底材料和其他元件的示意性局部横截面图。
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