[发明专利]应变片

权利要求书

1.一种应变片，具有：

基材，具有可挠性；

电阻体，在所述基材上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成；以及

功能层，在所述基材与所述电阻体之间，由热导率高于所述电阻体的绝缘材料形成，

其中，所述电阻体包括并排设置的多个电阻图案、以及将相邻的所述电阻图案的端部彼此连接的折返部分，

在所述折返部分上，层叠有由热导率高于所述电阻体的材料制成的第一金属层。

2.根据权利要求1所述的应变片，其中，

所述第一金属层从所述折返部分上延伸至所述电阻图案上的一部分。

3.根据权利要求1或2所述的应变片，还具有：

电极，与所述电阻体电连接，

其中，所述电极包括从所述电阻体的端部延伸的端子部、以及形成在所述端子部上的第二金属层，

所述第一金属层和所述第二金属层由相同材料制成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的应变片，其中，

所述功能层的厚度为1nm以上且1μm以下。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的应变片，还具有：

第二功能层，在所述基材与所述功能层之间，由热导率高于所述电阻体的金属或合金形成。

6.根据权利要求5所述的应变片，其中，

所述第二功能层具有提高所述基材与所述功能层之间的密合性的功能。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的应变片，其中，

所述电阻体由包含Cr、CrN、及Cr₂N的膜形成。

8.根据权利要求7所述的应变片，其中，

所述电阻体中包含的CrN和Cr₂N为20重量％以下。

9.根据权利要求8所述的应变片，其中，

所述CrN和所述Cr₂N中的所述Cr₂N的比例为80％以上且小于90％。