[发明专利]负极活性材料、电化学装置和电子装置

权利要求书

1.一种负极活性材料，包括硅氧颗粒和位于所述硅氧颗粒表面的硅氧碳层，其中，所述硅氧碳层包括硅氧碳复合颗粒。

2.根据权利要求1所述的负极活性材料，其中，所述负极活性材料满足如下条件(a)至(c)中的至少一者：

(a)所述负极活性材料的²⁹Si MAS NMR谱图在如下范围具有峰：-5ppm±2ppm，-35ppm±2ppm，-75ppm±2ppm；

(b)所述负极活性材料的²⁹Si MAS NMR谱图在-100ppm±2ppm范围内具有峰；

(c)所述负极活性材料的²⁹Si MAS NMR谱图在-5ppm±2ppm范围内的峰的半峰宽为20ppm至25ppm。

3.根据权利要求1所述的负极活性材料，其中，所述负极活性材料满足如下条件(d)至(g)中的至少一者：

(d)所述硅氧碳层的厚度为d，其中10nm≤d≤2000nm；

(e)所述硅氧碳层包括非晶相结构的硅氧碳复合颗粒；

(f)所述硅氧碳复合颗粒的粒径为1nm至60nm；

(g)所述硅氧碳复合颗粒中至少70％的硅氧碳复合颗粒的粒径为20nm至46nm。

4.根据权利要求1所述的负极活性材料，其中，所述硅氧碳层的厚度d与所述硅氧颗粒的Dv50满足：0.002≤d/Dv50≤0.8。

5.根据权利要求1所述的负极活性材料，其中，所述硅氧颗粒的Dv50的范围为2.5μm至10μm；和/或所述硅氧颗粒为SiO_x，x满足0.5≤x≤1.5。

6.根据权利要求1所述的负极活性材料，其中，所述负极活性材料满足如下条件(h)至(j)中的至少一者：

(h)基于所述负极活性材料的质量，所述碳元素的含量为a％，其中0.9≤a≤11；

(i)基于所述负极活性材料的质量，所述硅元素的含量为b％，其中50≤b≤63；

(j)基于所述负极活性材料的质量，所述碳元素的含量为a％，所述硅元素的含量为b％，其中0.015≤a/b≤0.25。

7.根据权利要求1所述的负极活性材料，其中，所述负极活性材料满足如下条件(k)至(n)中的至少一者：

(k)所述负极活性材料的X射线衍射图案中2θ归属于28.0°至29.0°范围内最高强度数值为I2，归属于20.5°至21.5°范围内最高强度数值为I1，其中0I2/I1≤1；

(l)所述负极活性材料的比表面积为1m²/g至50m²/g；

(m)所述负极活性材料的粉末电导率为2.0S/cm至30S/cm；

(n)所述负极活性材料还包括石墨。

8.根据权利要求1所述的负极活性材料，其中，所述负极活性材料的制备方法包括以下步骤：对包含硅氧化物、硅源、碳源和有机溶剂的溶液进行热处理，得到热处理后的粉末；对所述热处理后的粉末进行焙烧处理；

其中，所述热处理的温度为80℃至120℃；和/或所述焙烧处理包括在600℃至1200℃的焙烧温度下进行焙烧。

9.根据权利要求8所述的负极活性材料，其中，所述焙烧处理包括以3℃/min至10℃/min的升温速率升温至600℃至1200℃进行焙烧。

10.一种电化学装置，包括负极，所述负极包括权利要求1至9中任一项所述的负极活性材料。

11.一种电子装置，包括权利要求10所述的电化学装置。