[发明专利]非水电解质二次电池、集电体及它们的制造方法在审
申请号: | 202180007201.2 | 申请日: | 2021-01-13 |
公开(公告)号: | CN114830400A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 溝口高央 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01M10/0585 | 分类号: | H01M10/0585;H01M4/13;H01M4/64;H01M4/66;H01M10/052 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张志楠;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 水电 二次 电池 集电体 它们 制造 方法 | ||
本发明提供一种非水电解质二次电池、适合于该非水电解质二次电池的集电体及它们的制造方法,上述非水电解质二次电池具有:正极,具备具有树脂薄膜和配置于树脂薄膜的单面的导电层的正极集电体及与正极集电体接触的正极活性物质层;负极,具备具有树脂薄膜和配置于树脂薄膜的单面的导电层的负极集电体及与负极集电体接触的负极活性物质层;以及隔膜,配置于正极与负极之间,上述非水电解质二次电池中,正极集电体及负极集电体中的至少一者的导电层的厚度为10~1000nm,该导电层固着于树脂薄膜,正极集电体的树脂薄膜的周围与负极集电体的树脂薄膜的周围重叠并熔接,在被这些树脂薄膜包围的内部含有非水电解质而成。
技术领域
本发明涉及一种非水电解质二次电池、集电体及它们的制造方法。
背景技术
以锂离子二次电池为代表的非水电解质二次电池具有高能量密度,储存性能、低温工作性等也优异,广泛利用于移动电话、笔记本电脑等便携式电子设备。并且,也可将电池进行大型化而用于以汽车为首的输送设备,并且还可作为夜间电力、基于自然能量发电的电力等的储存装置而利用。
正在研究通过改善集电体来提高非水电解质二次电池的性能。例如,在专利文献1中记载了一种在塑料薄膜的两面经由粘接力加固层形成铜金属镀敷层并在这些铜金属镀敷层表面设置有抗氧化层的多层结构的负极集电体。根据专利文献1中所记载的技术,通过将该负极集电体应用于非水电解质二次电池,能够提高能量密度,并且能够抑制铜金属镀敷层的脱落,还能够抑制其氧化,而且由于能够将铜金属镀敷层形成为薄膜,因此还可实现降低成本。
以往技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-524759号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
若考虑非水电解质二次电池的使用环境(汽车等输送设备上的搭载、户外使用),则对非水电解质二次电池要求如下特性:即使在高温下保管的情况下,也能够充分维持电池性能。但是,在高温下的保管中,由于从电解液等产生的气体等的影响,电池单元膨胀,电池要件损坏或者发生错位而容易发生电池性能的劣化。
并且,非水电解质二次电池是反复进行多次充放电而使用的,因此还强烈要求电池性能的长寿命化(提高循环特性)。但是,在充放电的反复次数(循环次数)达到数百次的期间,逐渐产生气体或者反复受到伴随充放电的活性物质的膨胀和收缩的影响,因此仍然会导致电池要件损坏或者发生错位,难以持续以足够高的水准维持电池性能。
本发明的课题在于提供一种即使在高温下长期保管,电池性能也不易下降,循环特性也优异的非水电解质二次电池。并且,本发明的课题在于提供一种优选用于上述非水电解质二次电池的集电体。而且,本发明的课题在于提供一种上述非水电解质二次电池及上述集电体的各制造方法。
本发明人等着眼于集电体的结构,尝试了解决上述课题。其结果,发现了通过应用在树脂薄膜上固着有厚度在特定范围内的极薄层状的导电层的集电体作为非水电解质二次电池的集电体之后,将构成正负极的各集电体的树脂薄膜彼此进行熔接而在其内部封入非水电解质,能够制成即使将所获得的非水电解质二次电池在高温下长期保管,电池性能也不易下降,循环特性也优异的非水电解质二次电池。
本发明是基于这些见解进一步反复进行研究而完成的。
用于解决技术课题的手段
上述课题通过以下方式得到了解决。
〔1〕
一种非水电解质二次电池,其具有:
正极,具备具有树脂薄膜和配置于该树脂薄膜的单面的导电层的正极集电体及与该正极集电体接触的正极活性物质层;
负极,具备具有树脂薄膜和配置于该树脂薄膜的单面的导电层的负极集电体及与该负极集电体接触的负极活性物质层;以及
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社,未经富士胶片株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180007201.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。