[发明专利]用于差分读取器的SOT膜堆叠

权利要求书

1.一种磁记录头，所述磁记录头包括：

第一屏蔽件；

第二屏蔽件；和

自旋轨道扭矩(SOT)差分读取器，所述SOT差分读取器设置在所述第一屏蔽件与所述第二屏蔽件之间，所述SOT差分读取器包括：

硅化物种子多层，所述硅化物种子多层设置在所述第一屏蔽件上方；

第一自旋霍尔效应层，所述第一自旋霍尔效应层设置在所述硅化物种子多层上方，所述第一自旋霍尔效应层包括BiSb或其合金，具有晶体结构(012)；

第一中间层层，所述第一中间层层设置在所述第一自旋霍尔效应层上方；

第一自由层，所述第一自由层设置在所述第一中间层层上方；

种子层，所述种子层设置在所述第一自由层上方；

第二自由层，所述第二自由层设置在所述种子层上方；

第二中间层，所述第二中间层设置在所述第二自由层上方；

第二自旋霍尔效应层，所述第二自旋霍尔效应层设置在所述第二中间层层上方，所述第二自旋霍尔效应层包括BiSb或其合金，具有晶体结构(001)；和

盖层，所述盖层设置在所述第二自旋霍尔效应层上方。

2.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述种子层包括厚度为约5埃至约15埃的NiFeTa，并且其中所述硅化物种子多层包括厚度为约16埃的Si层、厚度为约1埃的第一Cu层、厚度为约8埃的NiFe层和厚度为约1埃的第二Cu层。

3.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述第一中间层包括厚度为约2埃至约4埃的NiCu层和厚度为约5埃至约15埃的NiFeTa层，并且其中所述第二中间层包括厚度为约5埃至约15埃的NiFeTa层和厚度为约5埃至约20埃的NiAl层。

4.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述第一自旋霍尔效应层具有约240埃至约250埃的厚度，其中所述第二自旋霍尔效应层具有约450埃至约470埃的厚度，并且其中所述盖层包括NiCu层和NiFeTa层。

5.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述磁记录头被配置成：

将所述第一自旋霍尔效应层的振幅与所述第二自旋霍尔效应层匹配；以及

将来自所述第一自由层的自旋电流与来自所述第二自由层的自旋电流匹配。

6.根据权利要求1所述的磁记录头，所述磁记录头还包括：

间隙层，所述间隙层设置在所述第一自由层与所述种子层之间；和

从面向介质的表面凹入的电引线，所述电引线与所述间隙层和所述第二屏蔽件接触，其中所述第一自由层、所述第二自由层、所述间隙层、所述第一自旋霍尔效应层和所述第二自旋霍尔效应层设置在所述面向介质的表面处。

7.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述第二自旋霍尔效应层具有约30％至约40％的Sb浓度，并且其中所述第一自旋霍尔效应层具有约7％至约17％的Sb浓度。

8.一种磁记录设备，所述磁记录设备包括根据权利要求1所述的磁记录头。