[发明专利]正极材料、包含其的电化学装置和电子设备

权利要求书

1.一种正极材料，其特征在于，所述正极材料具有属于空间群Cmc2₁的晶体结构。

2.根据权利要求1所述的正极材料，其特征在于，在所述正极材料的X射线衍射谱图中，003晶面衍射峰位于12°至18.5°范围内。

3.根据权利要求1所述的正极材料，其特征在于，在所述正极材料的X射线衍射谱图中，003晶面衍射峰与104晶面衍射峰的强度比I₍₀₀₃₎/I₍₁₀₄₎满足：I₍₀₀₃₎/I₍₁₀₄₎≥1.8。

4.根据权利要求1所述的正极材料，其特征在于，所述正极材料满足以下条件a)至c)中的至少一者：

a)晶胞参数

b)晶胞参数

c)晶胞参数c/晶胞参数a≥4.95。

5.根据权利要求1所述的正极材料，其特征在于，所述正极材料包括锂过渡金属氧化物，其中Li与O的层间距范围为至

6.根据权利要求1所述的正极材料，其特征在于，所述正极材料包括锂过渡金属氧化物，所述锂过渡金属氧化物中含有过渡金属元素Me，所述过渡金属元素Me包括Ni元素，基于所述过渡金属元素Me的摩尔量，所述Ni元素的摩尔百分比≥50％。

7.根据权利要求1所述的正极材料，其特征在于，所述正极材料包括由一次颗粒组成的二次颗粒，所述一次颗粒的平均粒径为0.1μm至1.5μm，所述二次颗粒的平均粒径为1μm至30μm。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的正极材料，其特征在于，所述正极材料包括Li_xNi_yCo_zMn_kZ_qO_b-aT_a，其中，Z包括B、Mg、Al、Si、P、S、Ti、Cr、Fe、Cu、Zn、Ga、Y、Zr、Mo、Ag、W、In、Sn、Pb、Sb、Sr和Ce中的至少一种，T为卤素，并且x、y、z、k、q、a和b分别满足：0.2＜x≤1.2、0＜y≤1、0≤z≤1、0≤k≤1、0≤q≤1、1≤b≤2以及0≤a≤1；优选地，0.6≤x≤1.2、0.5≤y≤1、0≤z≤0.5、0≤k≤0.5、0≤q≤0.5、1.5≤b≤2以及0≤a≤0.5。

9.一种电化学装置，其特征在于，所述电化学装置包括如权利要求1至8中任一项所述的正极材料。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求9中所述的电化学装置。