[发明专利]一种负极极片、包含该负极极片的电化学装置和电子装置

权利要求书

1.一种负极极片，所述负极极片包含负极材料层，所述负极材料层包含硅基复合材料，所述硅基复合材料包含多孔的碳基体和所述碳基体孔隙内的纳米硅颗粒，所述硅基复合材料的XRD衍射图谱中在2θ角为12°至38°范围内存在衍射峰，所述衍射峰的总面积为A，所述衍射峰中2θ角为12°至所述衍射峰的峰值所对应的2θ角范围内的衍射峰面积为B，且60％≤B/A≤70％。

2.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述硅基复合材料的孔隙率为α，所述硅基复合材料中硅的质量含量为C₀，且0.2≤0.5α/(C₀-αC₀)≤1.6。

3.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述负极极片满足以下特征中的至少一者：

(a)所述硅基复合材料中的硅质量含量C₀为20％至60％；

(b)所述硅基复合材料的孔隙率α为10％至60％；

(c)所述硅基复合材料的平均粒径Dv50不大于20μm；

(d)所述硅基复合材料的比表面积不大于50m²/g。

4.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述硅基复合材料的拉曼光谱图中在位移为1255cm^-1至1355cm^-1范围内存在D峰，在位移为1575cm^-1至1600cm^-1范围内存在G峰，D峰与G峰的峰强度比值为0.2至2。

5.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述硅基复合材料还包括保护层，所述保护层包括元素C、Ti、Al、Zn、S、P、Li、B、N中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的负极极片，其中，以所述硅基复合材料的总质量为基准，所述保护层中金属元素的质量百分含量为0.1％至0.9％。

7.根据权利要求5所述的负极极片，其中，所述保护层中的C选自无定形碳、碳纳米管、石墨烯、气相沉积碳纤维中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的负极极片，其中，所述负极材料层中还包括石墨颗粒和导电剂，以所述硅基复合材料、石墨颗粒和导电剂的总质量为基准，所述硅基复合材料的质量百分含量为5％至80％。

9.一种电化学装置，其包括权利要求1至8中任一项所述的负极极片。

10.一种电子装置，其包括权利要求10所述的电化学装置。