[发明专利]使用不同格雷码的编程和读取操作以及用于执行这种操作的存储器件

说明书

提供了一种存储器件。所述存储器件包括：布置成多行的存储单元的阵列；分别耦合到存储单元的多行的多条字线；以及耦合到字线的外围电路。外围电路被配置为：基于读取格雷码和编程格雷码之间的映射关系将第一值转换为第二值，执行编程操作以基于读取格雷码将第二值作为一状态而编程到存储单元中，并且执行读取操作以基于读取格雷码从存储单元中读出将是所述第一值的所述状态。

背景技术

本公开涉及存储器件及其操作。

闪存存储器是可以被电擦除并重新编程的低成本、高密度、非易失性固态存储介质。闪存存储器包括NOR闪存存储器和NAND闪存存储器。闪存存储器可以执行各种操作，例如读取、编程(写入)和擦除，以将每个存储单元的阈值电压改变为所需电平。对于NAND闪存存储器，可以在块级别执行擦除操作，可以在页级别执行编程操作或读取操作。

发明内容

在一个方面，一种存储器件包括：布置成多行的存储单元的阵列；分别耦合到存储单元的多行的多条字线；以及耦合到字线的外围电路。外围电路被配置为：基于读取格雷码和编程格雷码之间的映射关系将第一值转换为第二值，执行编程操作以基于读取格雷码将第二值作为一状态而编程到存储单元中，并且执行读取操作以基于读取格雷码从存储单元中读出将是所述第一值的所述状态。

在另一方面，提供了一种用于操作存储器件的方法。该存储器件包括布置成多行的存储单元的阵列和分别耦合到存储单元的多行的多条字线。该方法包括：基于读取格雷码和编程格雷码之间的映射关系将第一值转换为第二值；执行编程操作以基于读取格雷码将第二值作为一状态而编程到存储单元中；以及执行读取操作以基于读取格雷码从存储单元中读出将是所述第一值的所述状态。

在另一方面，一种系统包括：布置成多行的存储单元的阵列；分别耦合到存储单元的多行的多条字线；以及耦合到字线的外围电路。外围电路被配置为：基于读取格雷码和编程格雷码之间的映射关系将第一值转换为第二值，执行编程操作以基于读取格雷码将第二值作为一状态而编程到存储单元中，并且执行读取操作以基于读取格雷码从存储单元中读出将是所述第一值的所述状态。该系统还包括耦合到该存储器件并被配置为控制该存储器件的存储器控制器。

附图说明

并入本文中并构成说明书的一部分的附图示出了本公开的各方面，并且与说明书一起进一步用于解释本公开的原理，并使相关领域的技术人员能够做出和使用本公开。

图1A示出了根据本公开的一些方面的具有存储器件的示例性系统的框图。

图1B示出了根据本公开的一些方面的具有存储器件的示例性存储卡的示图。

图1C示出了根据本公开的一些方面的具有存储器件的示例性固态驱动器(SSD)的示图。

图2示出了根据本公开的一些方面的包括存储单元阵列和外围电路的示例性存储器件的框图。

图3示出根据本公开的一些方面的包括外围电路的示例性存储器件的示意性电路图。

图4示出了根据本公开的一些方面的示例性存储阵列器件的横截面。

图5示出了根据本公开的一些方面的四电平单元(QLC)中的16种可能状态。

图6A示出了根据本公开的一些方面的用于示例性存储阵列器件中的串中的存储单元上的16-16方案的格雷码。

图6B示出了根据本公开的一些方面的用于8-16方案的格雷码。

图7示出了根据本公开的一些方面的示例性转换过程。

图8示出了根据本公开的一些方面的用于执行编程操作和读取操作的示例性方法的流程图。

将参考附图描述本公开的各方面。

具体实施方式