[实用新型]促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置

权利要求书

1.一种促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于包括：

生长腔室、设置于生长腔室内的反应容器和原料补充容器；所述反应容器用于承载晶体生长所需的籽晶和/或衬底以及容置晶体生长所需的生长原料，所述原料补充容器用于容置晶体生长所需的生长原料；以及

升降机构，所述升降机构与所述反应容器和/或原料补充容器传动连接，并至少用于驱使所述反应容器和/或原料补充容器沿预定方向运动，且所述反应容器和原料补充容器中的一者位于另一者的运动轨迹上，所述反应容器能够相对运动至所述原料补充容器内并与所述原料补充容器相连通。

2.根据权利要求1所述的促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于：所述反应容器固定在所述生长腔室内，所述原料补充容器与所述升降机构传动连接。

3.根据权利要求1或2所述的促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于：所述反应容器沿预定方向设置在所述原料补充容器的上方，其中，所述预定方向为重力方向。

4.根据权利要求3所述的促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于：所述反应容器与原料补充容器同轴设置。

5.根据权利要求3所述的促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于：所述反应容器在预定方向上的正投影面积小于所述原料补充容器入口的正投影面积，且所述反应容器的体积小于所述原料补充容器的体积。

6.根据权利要求1所述的促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于：所述原料补充容器还与第一旋转驱动机构传动连接，所述原料补充容器能够在所述第一旋转驱动机构的驱使下自旋转。

7.根据权利要求1所述的促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于：所述生长腔室内还设置有加热机构，所述加热机构至少用于对所述生长腔室进行加热，以使所述生长腔室内的温度保持在预定温度。

8.根据权利要求7所述的促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于：所述加热机构还与第二旋转驱动机构传动连接，所述加热机构能够在所述第二旋转驱动机构的驱使下围绕所述反应容器和/或原料补充容器转动。

9.根据权利要求8所述的促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于：所述生长腔室设置在生长设备内，所述加热机构固定设置在所述生长腔室内，所述生长设备与所述第二旋转驱动机构传动连接，且能够在所述第二旋转驱动机构的驱使下自旋转。

10.根据权利要求8或9所述的促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于：所述加热机构包括多个加热电阻丝。