[实用新型]一种电机驱动H桥电路

说明书

一种电机驱动H桥电路，包括：第一正转支路、第一反转支路、第二正转支路、第二反转支路、双通道MOS管Q2、双通道MOS管Q3和MCU控制模块，双通道MOS管Q2的D1/D2极与电机正极连接，双通道MOS管Q3的D1/D2极与电机负极连接，双通道MOS管Q2的S2极和双通道MOS管Q3的S2极与电能输入端V+连接，双通道MOS管Q2的S1极和双通道MOS管Q3的S1极串联一电阻R33后接地；第一正转支路与双通道MOS管Q2的G2极、MCU控制模块连接，第二正转支路与双通道MOS管Q3的G1极、MCU控制模块连接，第一反转支路与双通道MOS管Q3的G2极、MCU控制模块连接，第二反转支路与双通道MOS管Q2的G1极、MCU控制模块连接。本实用新型采用两个双通道MOS管实现电机正反转、调速、刹车功能，体积更小在小空间应用有很大优势。

技术领域

本实用新型属于驱动电路领域，具体涉及一种电机驱动H桥电路。

背景技术

目前升降桌控制器越来越小型化，对控制电路的集成化也越来越高，在升降桌控制电路中，电机驱动电路是至关重要的部分，其直接影响到桌子的升降性能，目前的电机驱动电路常见的是由四个三极管与一个电机组成的H桥形电路，体积较大，在小空间内难以发挥。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种电机驱动H桥电路。

本实用新型采用如下技术方案：

一种电机驱动H桥电路，包括：第一正转支路、第一反转支路、第二正转支路、第二反转支路、双通道MOS管Q2、双通道MOS管Q3和MCU控制模块，所述双通道MOS管Q2的D1/D2极与电机正极连接，所述双通道MOS管Q3的D1/D2极与电机负极连接，所述双通道MOS管Q2的S2极和双通道MOS管Q3的S2极均与电能输入端V+连接，所述双通道MOS管Q2的S1极和双通道MOS管Q3的S1极串联一电阻R33后接地；

所述第一正转支路分别与双通道MOS管Q2的G2极以及MCU控制模块连接，所述第一正转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q2的S2极与D2极的通断；

所述第二正转支路分别与双通道MOS管Q3的G1极以及MCU控制模块连接，所述第二正转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q3的S1极与D1极的通断；

所述第一反转支路分别与双通道MOS管Q3的G2极以及MCU控制模块连接，所述第一反转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q3的S2极与D2极的通断；

所述第二反转支路分别与双通道MOS管Q2的G1极以及MCU控制模块连接，所述第二反转支路接收MCU控制模块发出的PWM信号控制双通道MOS管Q2的S1极与D1极的通断。

可选地，所述第一正转支路包括：电阻R17、电阻R18、三极管Q6和电阻R19，所述电阻R17一端与MCU控制模块的第一PWM引脚U25连接，所述电阻R17另一端与三极管Q6的B极连接，所述电阻R18两端分别与三极管Q6的B极、E极连接，所述三极管Q6的E极接地，所述三极管Q6的C极与电阻R19串联后与双通道MOS管Q2的G2极连接。

可选地，所述第二正转支路包括：电阻R16、电阻R29、三极管Q12、三极管Q10、三极管Q11、电阻R30、电阻R14和电阻R27，所述电阻R16一端连接第二PWM引脚U5，所述电阻R16另一端与三极管Q12的B极连接，所述电阻R29两端分别与三极管Q12的B极、E极连接，所述三极管Q12的E极接地，所述三极管Q12的C极分别与三极管Q10的B极、三极管Q11的B极、电阻R14、电阻R27连接，所述三极管Q10的C极接入12V电压后与电阻R14的另一端连接，所述三极管Q10的E极分别与三极管Q11的C极、电阻R27的另一端、电阻R30连接，所述三极管Q11的E极接地，所述电阻R30的另一端与双通道MOS管Q3的G1极连接，所述三极管Q10、三极管Q12为NPN型三极管，三极管Q11为PNP型三极管。