[实用新型]声道切换电路及多声道超声流量计有效

专利信息
申请号: 202123189015.1 申请日: 2021-12-14
公开(公告)号: CN216645464U 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 饶志建;陈正海 申请(专利权)人: 金卡智能集团股份有限公司
主分类号: G01F1/66 分类号: G01F1/66
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 张芳;臧建明
地址: 325600 浙江省温*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 声道 切换 电路 多声道 超声 流量计
【权利要求书】:

1.一种声道切换电路,应用于多声道超声流量计,其特征在于,所述电路包括:双路SPDT模拟开关;其中,

所述双路SPDT模拟开关具有多组输出端,每组输出端对应连接所述多声道超声流量计的一组超声换能器;所述双路SPDT模拟开关具有输入端,该输入端与换能器激励模块的输出端连接;

主控模块与所述双路SPDT模拟开关的使能端以及所述双路SPDT模拟开关的控制端连接,用于控制所述双路SPDT模拟开关的使能状态,以及控制所述双路SPDT模拟开关在工作状态下输入端与输出端之间的选择连接。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述声道切换电路还包括:设置在所述主控模块与所述双路SPDT模拟开关的使能端之间的使能驱动模块;

所述使能驱动模块的输入端与所述主控模块连接,输出端与所述双路SPDT模拟开关的使能端连接,用于对所述主控模块输出的使能信号进行驱动后输出给所述双路SPDT模拟开关的使能端;

其中,所述使能信号用于控制所述双路SPDT模拟开关的使能状态。

3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述使能驱动模块包括:第一NMOS晶体管;其中,

所述第一NMOS晶体管的源极与所述双路SPDT模拟开关的使能端连接并接地;所述第一NMOS晶体管的漏极与工作电源连接;所述第一NMOS晶体管的栅极连接所述主控模块输出的使能信号。

4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述使能驱动模块还包括:第一限流电阻和第一接地电阻;

所述第一限流电阻设置在所述使能信号和所述第一NMOS晶体管的栅极之间,所述第一限流电阻的第一端连接所述使能信号,所述第一限流电阻的第二端连接所述第一NMOS晶体管的栅极;

所述第一接地电阻设置在所述第一NMOS晶体管的源极和地之间,所述第一接地电阻的第一端连接所述第一NMOS晶体管的源极,所述第一接地电阻的第二端接地。

5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述声道切换电路还包括:设置在所述主控模块与所述双路SPDT模拟开关的控制端之间的控制驱动模块;

所述控制驱动模块的输入端与所述主控模块连接,输出端与所述双路SPDT模拟开关的控制端连接,用于对所述主控模块输出的控制信号进行驱动后输出给所述双路SPDT模拟开关的控制端;

其中,所述控制信号用于控制所述SPDT模拟开关在工作状态下输入端与输出端之间的选择连接。

6.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述控制驱动模块包括:第二NMOS晶体管;其中,

所述第二NMOS晶体管的源极与所述双路SPDT模拟开关的控制端连接并接地;所述第二NMOS晶体管的漏极与工作电源连接;所述第二NMOS晶体管的栅极连接所述主控模块输出的控制信号。

7.根据权利要求6所述的电路,其特征在于,所述控制驱动模块还包括:第二限流电阻和第二接地电阻;

所述第二限流电阻设置在所述控制信号和所述第二NMOS晶体管的栅极之间,所述第二限流电阻的第一端连接所述控制信号,所述第二限流电阻的第二端连接所述第二NMOS晶体管的栅极;

所述第二接地电阻设置在所述第二NMOS晶体管的源极和地之间,所述第二接地电阻的第一端连接所述第二NMOS晶体管的源极,所述第二接地电阻的第二端接地。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的电路,其特征在于,所述声道切换电路还包括:

连接在工作电源和所述双路SPDT模拟开关的供电端之间的滤波模块。

9.根据权利要求8所述的电路,其特征在于,所述滤波模块包括多个电容;

所述多个电容的第一端共同连接至所述工作电源以及所述双路SPDT模拟开关的供电端,所述多个电容的第二端共同接地。

10.一种多声道超声流量计,其特征在于,包括:主控模块、换能器激励模块、多组超声换能器以及如权利要求1-9中任一项所述的声道切换电路;

每组超声换能器包括两个超声换能器;所述声道切换电路的每个双路SPDT模拟开关具有两个控制端和两组输出端,其中,所述双路SPDT模拟开关的每组输出端包括两个输出端口;

所述双路SPDT模拟开关的两个控制端相互连接,作为该双路SPDT模拟开关的控制端;所述双路SPDT模拟开关的每组输出端的两个输出端口,分别连接对应的一组超声换能器中的两个超声换能器。

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