[实用新型]一种自保护电路及磁通量采集仪有效
| 申请号： | 202123086996.7 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN217443519U | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 刘付鹏;王辅宋;刘文峰;谢镇;孙立凯;张志文 | 申请（专利权）人： | 江西飞尚科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/52 | 分类号： | G01R31/52;G01R31/54 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 戴继翔 |
| 地址： | 330052 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 保护 电路 磁通量 采集 | ||
【权利要求书】：
1.一种自保护电路，其特征在于，包括：
激励电容，
保护机构，与所述激励电容连接，所述保护机构包括电阻、MOS开关管和微型控制器，所述电阻和所述MOS开关管与微型控制器连接。
2.根据权利要求1所述的一种自保护电路，其特征在于：所述电阻为功率绕线电阻。
3.根据权利要求1或2所述的一种自保护电路，其特征在于：所述保护机构还包括电压值采集装置。
4.根据权利要求3所述的一种自保护电路，其特征在于：所述电压值采集装置包括电压取样电路，所述电压取样电路与微型控制器连接。
5.根据权利要求4所述的一种自保护电路，其特征在于：所述激励电容电压通过分压电阻的进行比例取样，所述激励电容接入所述微型控制器的模数转换接口进行采集。
6.根据权利要求1所述的一种自保护电路，其特征在于：所述MOS开关管为P沟道开关管。
7.根据权利要求1所述的一种自保护电路，其特征在于：所述激励电容充电电压最高为300V，所述电阻的数值为180-230欧姆。
8.一种磁通量采集仪，其特征在于，包括如权利要求1至7中任意一项所述的自保护电路。
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