[实用新型]一种油气井多级电子射孔选发器电路

权利要求书

1.一种油气井多级电子射孔选发器电路，其特征在于，包括主控MCU，与主控MCU相连的射孔击发电路、电压检测电路、下级电源控制电路，与电压检测电路相连的供电电路、通信接收电路，以及与供电电路相连的通信发射电路；其中，所述下级电源控制电路还与通信发射电路相连；

所述下级电源控制电路包括与主控MCU相连的电阻R18，栅极与电阻R18另一端相连且源极接地的MOS管Q10，正极与MOS管Q10的栅极相连且负极与MOS管Q10的漏极相连的二极管D14，栅极与二极管D14的负极相连且源极接地、漏极接主控MCU的MOS管Q9，以及连接于MOS管Q9的栅极与源极之间的电容C5；其中，所述二极管D14的负极还与通信发射电路相连。

2.根据权利要求1所述的一种油气井多级电子射孔选发器电路，其特征在于，所述通信发射电路包括与下级电源控制电路中的二极管D14的负极相连的电阻R17，与电阻R17另一端相连的电阻R16，漏极与电阻R16另一端相连的MOS管Q7，以及源极与MOS管Q7的源极相连的MOS管Q8；其中，MOS管Q8的漏极与供电电路相连；MOS管Q7的源极、MOS管Q8的源极相连后接地。

3.根据权利要求2所述的一种油气井多级电子射孔选发器电路，其特征在于，所述供电电路包括并联后一端与通信发射电路中的MOS管Q8的漏极相连电阻R1、R2，与并联后的电阻R1、R2的另一端相连的稳压芯片U1，一端与并联后的电阻R1、R2的另一端相连的电容C1、电阻R3、二极管D1，正极与二极管D1的另一端正极相连的二极管D2，并联于二极管D2两端的电容C2，以及栅极与二极管D2的负极、电阻R3另一端均相连的MOS管Q1；其中，MOS管Q1的源极还与二极管D1的负极相连，电容C1的另一端还与二极管D1的正极相连；MOS管Q1的漏极与电压检测电路相连；MOS管Q1的源极还与射孔击发电路相连。

4.根据权利要求3所述的一种油气井多级电子射孔选发器电路，其特征在于，所述电压检测电路包括与供电电路中MOS管Q1的漏极相连的电阻R6、R7，与电阻R6另一端相连的电阻R4，正极与电阻R4另一端相连的二极管D3，并联于二极管D3两端的电阻R5，正极与二极管D3的负极相连、负极与电阻R7的另一端相连的二极管D4，以及正极与主控MCU相连、负极与电阻R6、R7的公共端相连的二极管D5；其中，二极管D3的正极接地；二极管D5的负极与通信接收电路相连。

5.根据权利要求4所述的一种油气井多级电子射孔选发器电路，其特征在于，所述通信接收电路包括一端与电压检测中的二极管D5的负极相连的电容C7，正极接地、负极与电容C7的另一端相连的二极管D15，一端与二极管D15的负极相连的电阻R19、R20、电容C6，与电阻R20的另一端相连的电阻R21，以及基极与电阻R19的另一端相连、集电极与电阻R21的另一端相连、发射极与电容C6的另一端相连并接地的三极管Q10。

6.根据权利要求5所述的一种油气井多级电子射孔选发器电路，其特征在于，所述射孔击发电路包括源极与供电电路中MOS管Q1的源极相连的MOS管Q3，与MOS管Q3的源极相连的电阻R7，漏极与电阻R7另一端、MOS管Q3的栅极相连的MOS管Q2，连接于MOS管Q2的栅极与源极之间的电阻R8，连接于MOS管Q2的源极与MOS管Q3的漏极之间的电阻R9，一端与MOS管Q3的漏极相连的电容C2，正极与MOS管Q3的源极相连并接地、负极与电容C2的另一端相连的二极管D6，正极与二极管D6的另一端相连的二极管D7，正极与二极管D6的正极相连的二极管D8，一端与二极管D7、D8的负极均相连且另一端接地的电阻R10、电容C3，栅极与二极管D7、D8的负极均相连、源极接地的MOS管Q4，正极与MOS管Q4的栅极相连的二极管D9，栅极与二极管D9的负极相连的MOS管Q6，一端与二极管D9的负极相连、另一端与MOS管Q6的源极相连的电阻R11、电容C4，负极与二极管D9的负极相连、正极与MOS管Q6的源极相连的二极管D10，负极与MOS管Q6的漏极相连的二极管D12，负极与二极管D12的正极相连、正极与主控MCU相连的二极管D11，串联后一端与MOS管Q6的漏极相连、另一端接地的电阻R12、R13、R14、R15，以及并联于电阻R15两端且正极接地的二极管D13；其中，MOS管Q4的漏极与MOS管Q6的源极相连。