[实用新型]一种功率半导体器件驱动保护装置有效

专利信息
申请号: 202122642867.5 申请日: 2021-11-01
公开(公告)号: CN216565831U 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 蔡勇;刘娜;刘振;闵燕 申请(专利权)人: 北京英特立方科技有限公司
主分类号: H05K5/02 分类号: H05K5/02;F16F15/02;F16F15/04;H03K17/08;H02G3/04
代理公司: 北京硕慧云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 16000 代理人: 赵慧敏
地址: 101300 北京市顺义区仁和地*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 半导体器件 驱动 保护装置
【说明书】:

实用新型属于电子器件技术领域,公开了一种功率半导体器件驱动保护装置,盒体内固定设置有驱动器,盒体两侧分别嵌装有输入端口和输出端口,盒体上端嵌装有控制端口,盒体底部边沿固定设置有多个固定板,固定板中间开设有长条形固定通孔;盒体内部固定有减震结构,驱动器设置在减震结构里侧,驱动器通过连接线路分别与输入端口、输出端口和控制端口连接。本实用新型通过将驱动器设置于盒体内的减震结构里侧,可以对驱动器进行有效的防护和减震,避免受到磕碰和振动损坏,通过盒体外侧的输入端口、输出端口和控制端口可以将驱动器与功率半导体器件和外部控制器连接,安装方便,便于拆卸,能够有效保证功率半导体器件的稳定运行。

技术领域

本实用新型属于电子器件技术领域,尤其涉及一种功率半导体器件驱动保护装置。

背景技术

目前,随着科技的进步,越来越多的功率半导体器件应用到大型工业生产之中。半导体器件逐渐向着模块化、复合化和功率集成化的方向发展。但是在工业中,功率半导体模块还应配合驱动及保护电路进行使用。现有应用于晶闸管型器件(如晶闸管、集成门极换流晶闸管IGCT、发射极关断晶闸管ETO等)的门极驱动保护电路,关断状态下,对器件门阴极提供一定的反向偏置电压,如若门阴极间电压不满足一定的反向偏置条件,则晶闸管型器件的耐受电压及电压变化率将不能达到额定耐压值。

现在行业中的普遍通过外加半导体模块控制板,经其调制后发出驱动信号驱动功率半导体模块的开通与关断。这种方式的驱动器是单独安装设置的,容易在使用中受到振动影响,影响使用寿命。同时现有的功率半导体器件驱动保护装置在使用过程中,易出现松动,影响整体装置的稳定性。

通过上述分析,现有技术存在的问题及缺陷为:

(1)现有的对功率半导体器件进行驱动的驱动器容易受到振动影响,影响使用寿命。

(2)现有的功率半导体器件驱动保护装置在使用过程中,易出现松动,影响整体装置的稳定性。

实用新型内容

针对现有技术存在的问题,本实用新型提供了一种功率半导体器件驱动保护装置。

本实用新型是这样实现的,一种功率半导体器件驱动保护装置

盒体;

所述盒体内固定设置有驱动器,所述盒体两侧分别嵌装有输入端口和输出端口,所述盒体上端嵌装有控制端口,所述盒体底部边沿固定设置有多个固定板,所述固定板中间开设有长条形固定通孔;

所述盒体内部固定有减震结构,所述驱动器设置在减震结构里侧,所述驱动器通过连接线路分别与输入端口、输出端口和控制端口连接。

进一步,所述驱动器内设置有驱动电路和保护电路,所述保护电路与驱动电路连接;

所述保护电路设置有熔断器以及二极管,所述熔断器的一端与驱动电路的一端连接,所述熔断器的另一端与所述二极管的阳极连接,所述二极管的阴极与所述功率半导体器件的阴极连接。

进一步,所述驱动电路设置有电流检测单元和信号放大单元,所述电流检测单元设置有电流检测电阻RL,所述电流检测电阻RL一端通过电阻R1与电源Vcc相连接,所述电流检测电阻RL与电阻R1的中间点通过电阻R2接地;

所述信号放大单元设置有放大器L1,所述电流检测电阻RL另一端通过电阻R4与放大器L1负极输入端相连接,所述电流检测电阻RL与电阻R1中间通过电阻R3与放大器L1正极输入端连接。

进一步,所述电流检测电阻RL与放大器L1之间连接有滤波电路,所述滤波电路设置有并联联接的电容C1和电容C2,所述电容C1和电容C2的并联电路一端接地,另一端与电流检测电阻RL与电阻R1的中间点相连接。

进一步,所述减震结构设置有分别位于驱动器不同侧面的支撑板,每个支撑板通过两个金属弹片与同侧的盒体内壁连接。

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