[实用新型]射频功率放大器ESD保护电路

权利要求书

1.一种射频功率放大器ESD保护电路，包括输入端、输出端，晶体管、偏置电路以及第一ESD保护电路；所述晶体管的基极连接至所述输入端，所述晶体管的发射极连接至接地，所述晶体管的集电极分别连接至所述输出端和电路电压源；所述偏置电路串联至所述晶体管的基极与基准电压源之间；所述第一ESD保护电路连接于所述晶体管的集电极与接地之间，用于为所述晶体管提供静电放电保护；其特征在于，

所述第一ESD保护电路包括第一晶体管、第一二极管、第二二极管以及第三二极管；

所述第一晶体管的基极呈开路设置，所述第一晶体管的集电极连接于所述电路电压源，所述第一晶体管的发射集连接于所述第一二极管的正极；

所述第一二极管的负极连接至接地；

所述第二二极管的正极连接至接地，所述第二二极管的负极连接至所述第一晶体管的集电极；

所述第三二极管的正极连接至接地，所述第三二极管的负极连接至所述第一晶体管的集电极。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器ESD保护电路，其特征在于，所述第一ESD保护电路还包括第四二极管，所述第四二极管串联于所述第一二极管与接地之间，且所述第四二极管的正极连接至所述第一二极管的负极。

3.根据权利要求1或2所述的射频功率放大器ESD保护电路，其特征在于，所述射频功率放大器ESD保护电路还包括第二ESD保护电路，所述第二ESD保护电路连接于所述基准电压源与地之间，用于为所述偏置电路提供静电放电保护；所述第二ESD保护电路包括第二晶体管、第五二极管以及第六二极管；

所述第二晶体管的基极呈开路设置，所述第二晶体管的发射极连接至接地，所述第二晶体管的集电极连接至所述基准电压源；

所述第五二极管的正极连接至接地，所述第五二极管的负极连接至所述第二晶体管的集电极；

所述第六二极管的正极连接至接地，所述第六二极管的负极连接至所述第二晶体管的集电极。

4.根据权利要求3所述的射频功率放大器ESD保护电路，其特征在于，所述晶体管、所述第一晶体管以及所述第二晶体管均为GaAs基HBT晶体管。

5.根据权利要求4所述的射频功率放大器ESD保护电路，其特征在于，所述晶体管、所述第一晶体管以及所述第二晶体管均PNP型三极管。

6.根据权利要求3所述的射频功率放大器ESD保护电路，其特征在于，所述射频功率放大器ESD保护电路还包括输入阻抗匹配电路，所述输入阻抗匹配电路为串联于所述输入端与所述偏置电路之间的第一电容。

7.根据权利要求3所述的射频功率放大器ESD保护电路，其特征在于，所述射频功率放大器ESD保护电路还包括输出阻抗匹配电路，所述输出阻抗匹配电路包括串联于所述晶体管的集电极与所述第一ESD保护电路之间的电感和串联于所述晶体管的集电极与所述输出端之间的第二电容。