[实用新型]一种继电保护直阻容量变比四合一试验电路

权利要求书

1.一种继电保护直阻容量变比四合一试验电路，其特征在于：包括第一ARM控制单元(1)、第二ARM控制单元(2)、三相功率电压源输出模块(3)、电能测量模块(4)、触摸屏控制模块(5)、按键输入模块(6)、开关量控制模块(7)和电源模块(8)；

三相功率电压源输出模块(3)其具有第一输入端、若干第一控制端和若干第一输出端，第一输入端与交流电网电性连接，各第一控制端分别与第一ARM控制单元(1)电性连接、并对其输出PWM脉冲信号，各第一输出端输出交流电压信号；

电能测量模块(4)包括电压测量模块(41)和电流测量模块(42)，电压测量模块(41)与第二ARM控制单元(2)的输入端电性连接，电压测量模块(41)用于测量三相功率电压源输出模块(3)输出的交流电压信号；电流测量模块(42)与第二ARM控制单元(2)的输入端电性连接，电流测量模块(42)用于测量与交流变压器相连的各相线的交流电流信号；

触摸屏控制模块(5)与第二ARM控制单元(2)电性连接，触摸屏控制模块(5)可以输出显示电压信号和电流信号，触摸屏控制模块(5)还可以进行输出显示，还可以进行输入；

按键输入模块(6)与第二ARM控制单元(2)的输入端电性连接；

开关量控制模块(7)与第二ARM控制单元(2)的输入端电性连接；

电源模块(8)分别与第一ARM控制单元(1)、第二ARM控制单元(2)、电能测量模块(4)、触摸屏控制模块(5)、按键输入模块(6)和开关量控制模块(7)电性连接，并为其提供工作电源。

2.如权利要求1所述的一种继电保护直阻容量变比四合一试验电路，其特征在于：所述三相功率电压源输出模块(3)包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6；MOS管Q1的门极与MOS管Q2的门极分别与ARM控制单元(1)的PC6端口及PC7端口对应电性连接，MOS管Q2的源极与电阻R13的一端电性连接，电阻R13的另一端接地；MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极电性连接，并作为A相电压输出端，MOS管Q1的漏极与+310V直流电压电性连接；MOS管Q3的门极与MOS管Q4的门极分别与ARM控制单元(1)的PC8端口及PC9端口对应电性连接，MOS管Q4的源极与电阻R14的一端电性连接，电阻R14的另一端接地，MOS管Q3的源极与MOS管Q4的漏极电性连接，并作为B相电压输出端，MOS管Q3的漏极与+310V直流电压电性连接；MOS管Q5的门极与MOS管Q6的门极分别与ARM控制单元(1)的PC10端口及PC11端口对应电性连接，MOS管Q6的源极与电阻R15的一端电性连接，电阻R15的另一端接地，MOS管Q5的源极与MOS管Q6的漏极电性连接，并作为C相电压输出端，MOS管Q5的漏极与+310V直流电压电性连接。

3.根据权利要求2所述的一种继电保护直阻容量变比四合一试验电路，其特征在于：所述电压测量模块(41)包括电压测试单元J1、第一采样电阻和运算放大器U1；电压测试单元J1与一相线信号连接，其输入端分别与第一采样电阻的两端电性连接，第一采样电阻的两端分别与运算放大器的同相输入端和反相输入端电性连接；运算放大器的输出端与第二ARM控制单元(2)的输入端电性连接。

4.根据权利要求2所述的一种继电保护直阻容量变比四合一试验电路，其特征在于：所述电流测量模块(42)包括电流传感芯片U2、若干运算放大器U3、电压基准芯片U4和若干测试点；电流传感芯片U2的正向信号输入端与一相线电性连接，其反向信号输入端与中性线电性连接；电流传感芯片U2的输出端分别与运算放大器U3A的数据信号正输入端、负输入端和输出端电性连接；运算放大器U3A的数据信号输出端还分别与运算放大器U3B的数据信号正输入端、负输入端和输出端电性连接；运算放大器U3B的数据信号输出端还分别与运算放大器U3C的数据信号负输入端和输出端电性连接；运算放大器U3C的数据信号正输入端与电压基准芯片U4输出端电性连接，其输出端还与运算放大器U3D的数据信号负输入端电性连接；运算放大器U3D的数据信号负输入端与其输出端电性连接，其输出端与第二ARM控制单元(2)的输入端电性连接。