[实用新型]一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置有效

专利信息
申请号: 202122156712.0 申请日: 2021-09-08
公开(公告)号: CN215999801U 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 王德志;高尚谦 申请(专利权)人: 山东双辉机电设备有限公司
主分类号: B24B7/16 分类号: B24B7/16;B24B55/12;B24B55/06;B24B41/00;B24B41/06;B24B27/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 262600 山东省潍坊市*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 去除 原生 多晶 端面 石墨 装置
【说明书】:

实用新型属于多晶硅加工技术领域,尤其涉及一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置,包括加工平台、粗加工装置、夹持台、安装台、马达和精磨刀具,粗加工装置由底座、粗磨筒、螺纹管、碎屑盒、粗磨面和漏孔组成,加工平台的左侧固定安装有电动伸缩装置,加工平台的上表面设置有除屑装置。该去除原生多晶硅棒端面石墨的装置,在对多晶硅棒进行粗加工时,将多晶硅棒放置在粗磨筒的内部,使多晶硅棒的端面与粗磨面和接触,转动多晶硅棒,对多晶硅棒的端面进行粗磨,磨削产生的碎屑会从漏孔漏下,掉落在碎屑盒的内部,在粗加工完成后,转动碎屑盒在螺纹管的内部转动,将碎屑盒取下,对碎屑进行清理。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅加工技术领域,具体为一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置。

背景技术

多晶硅是单质硅的一种形态,多晶硅生长时,需用石墨夹头夹持细长硅芯下端,石墨夹头作为电极对硅芯通入高压电流,使硅芯发热,炉腔内的气相三氯氢硅和氢气在高热硅芯表面发生化学反应,生产单质硅,并沉积在硅芯表面,随着生长持续,硅芯表面沉积单质硅越来越多,硅芯越来越粗,最终变成成品多晶硅棒。

多晶硅棒在使用时需要将石墨去除,通常将石墨端敲下来,继续对石墨夹头外层生长的多晶硅进行敲击,使其破碎成小块,从石墨夹头上分离,因多晶硅料硬度高,破碎劳动强度大,效率低,而且无法完全将石墨夹头表面的多晶硅分离,且容易造成多晶硅材料的浪费。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置,包括加工平台、粗加工装置、夹持台、安装台、马达和精磨刀具,所述粗加工装置固定安装于加工平台的顶部左侧,所述夹持台固定安装于加工平台的顶部中心,所述安装台固定安装于加工平台的顶部右侧,所述马达固定安装于安装台的正面,所述精磨刀具连接于马达的输出端。

所述粗加工装置由底座、粗磨筒、螺纹管、碎屑盒、粗磨面和漏孔组成,所述底座固定安装于加工平台的顶部左侧,所述粗磨筒固定安装于底座的顶部,所述螺纹管固定连接于粗磨筒的底部,所述碎屑盒设置于螺纹管底部,所述粗磨面固定安装于粗磨筒的内壁,所述漏孔开设于粗磨面的内部。

优选的,所述碎屑盒的外表面顶部开设有与螺纹管内部适配的螺纹,所述漏孔的数量为两个,两个所述漏孔对称分布于粗磨面内部,在对多晶硅棒进行粗加工时,将多晶硅棒放置在粗磨筒的内部,使多晶硅棒的端面与粗磨面和接触,转动多晶硅棒,对多晶硅棒的端面进行粗磨。

优选的,所述夹持台由滑杆、滑槽二、夹持筒、侧挡板、弹簧杆和夹持板组成,所述滑杆固定连接于夹持台的正面,所述滑槽二开设于加工平台的正面,所述夹持筒固定安装于夹持台的内部,所述侧挡板固定安装于夹持筒的侧面,所述弹簧杆固定连接于夹持筒的内壁,所述夹持板固定连接于弹簧杆远离夹持筒内壁的一端。

优选的,所述滑杆的数量为两个,所述侧挡板的数量为两个,两个所述侧挡板固定安装于夹持筒的侧面,所述弹簧杆的数量为三个,三个所述弹簧杆等间距对称分布于夹持筒的内壁,在对多晶硅棒进行精加工时,将经过粗加工后的多晶硅棒放置在夹持筒的内部,多晶硅棒挤压夹持板,使夹持板挤压弹簧杆收缩,在弹簧杆自身回复力的作用下,夹持板会将多晶硅棒夹紧。

优选的,所述加工平台的左侧固定安装有电动伸缩装置,所述加工平台的上表面设置有除屑装置。

优选的,所述除屑装置由滑槽一、滑块、柔性清洁板和连接杆组成,所述滑槽一开设于加工平台的上表面,所述滑块滑动连接于滑槽一的内部,所述柔性清洁板固定连接于滑块的顶部,所述连接杆固定连接于柔性清洁板的左侧中部。

优选的,所述连接杆远离柔性清洁板的一端与电动伸缩装置固定连接,所述柔性清洁板的底部左右两侧与加工平台的上表面接触,在精加工时产生的碎屑,可以通过启动电动伸缩装置,电动伸缩装置带动连接杆移动,使连接杆带动柔性清洁板移动。

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