[实用新型]低温共烧陶瓷电子器件的电路模体单元集成构造

权利要求书

1.一种低温共烧陶瓷电子器件的电路模体单元集成构造，包含一集成模体及被包覆在所述集成模体之内的若干电极及导电通路，其特征在于：所述集成模体是由若干电路模体单元叠合组成，其中，所述电路模体单元是在一陶瓷基体上设有电极图案凹模及导通孔，所述电极图案凹模的凹陷深度介于0.5µm至5000µm之间，所述导通孔是贯穿设置于所述陶瓷基体，所述导通孔的孔径在10µm以上，并在所述电极图案凹模之内填设导电材料以形成一所述电极，在所述导通孔之内填设导电材料以形成一导线段；以及各所述电路模体单元叠合组立，使上、下邻接的所述导线段电性连接形成一所述导电通路，且所述导电通路电性连接各所述电极之中的至少一个。

2.如权利要求1所述的低温共烧陶瓷电子器件的电路模体单元集成构造，其特征在于，所述导电材料为含银重量比80%以上的导电胶。

3.如权利要求1所述的低温共烧陶瓷电子器件的电路模体单元集成构造，其特征在于，所述陶瓷基体为单层的陶瓷材料层，所述陶瓷基体的厚度5000µm以下。

4.如权利要求1所述的低温共烧陶瓷电子器件的电路模体单元集成构造，其特征在于，所述陶瓷基体由双层的陶瓷材料层叠合组成，所述陶瓷基体包含一模板层和一衬底层，所述衬底层叠合在所述模板层的下方，在所述模板层上设有贯穿上表面与下表面的镂空槽沟，所述镂空槽沟与所述衬底层共同构成所述电极图案凹模，所述导通孔是同轴贯穿设置于所述模板层和所述衬底层。

5.如权利要求4所述的低温共烧陶瓷电子器件的电路模体单元集成构造，其特征在于，所述模板层的厚度介于0.5µm至2000µm之间。

6.如权利要求4所述的低温共烧陶瓷电子器件的电路模体单元集成构造，其特征在于，所述衬底层的厚度在10µm以上。

7.如权利要求1所述的低温共烧陶瓷电子器件的电路模体单元集成构造，其特征在于，所述集成模体还包含一底层电路模体单元，所述底层电路模体单元叠合于所述集成模体的最下面，所述底层电路模体单元是在一陶瓷基体上设有电极图案凹模。

8.如权利要求1所述的低温共烧陶瓷电子器件的电路模体单元集成构造，其特征在于，所述导通孔的上方端口及下方端口为具有扩大孔径的端口。