[实用新型]基于基片集成波导的均衡器有效
| 申请号: | 202122013372.6 | 申请日: | 2021-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN215420331U | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
| 发明(设计)人: | 蒋跃宇;刘绍东;吴博科;承昊新;钱瑛;许刚红;王康 | 申请(专利权)人: | 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司;江苏思极科技服务有限公司常州分公司;国网江苏省电力有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号: | H04L25/03 | 分类号: | H04L25/03;H03D7/14 |
| 代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 姜晓钰 |
| 地址: | 213000*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 集成 波导 均衡器 | ||
1.一种基于基片集成波导的均衡器,其特征在于,包括:由上到下依次堆叠设置的第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板、第四介质基板,微带传输线、电阻器及FSIW谐振器,其中,
所述微带传输线设置在所述第一介质基板上,所述第一介质基板、所述第二介质基板、所述第三介质基板及所述第四介质基板的中心位置处设置有金属过孔,所述电阻器分别连接所述微带传输线与所述第一介质基板上的所述金属过孔;
所述FSIW谐振器包括:顶层介质基板、底层介质基板及设置在二者之间的中间层金属层,所述顶层介质基板与所述底层介质基板叠合放置且相互贴合,所述顶层介质基板的上表面设置有顶层金属层,所述底层介质基板的下表面设置有底层金属层,所述顶层介质基板与所述底层介质基板上均设置有一组金属通孔;
所述第三介质基板处设置有所述顶层介质基板及所述顶层金属层,所述第四介质基板处设置有所述底层介质基板、所述底层金属层及所述中间层金属层。
2.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的均衡器,其特征在于,还包括:调节螺杆,所述调节螺杆从所述第四介质基板的底部插入所述第四介质基板。
3.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的均衡器,其特征在于,所述FSIW谐振器的长度为a、且宽度为a/2,其中a的范围为2mm~3mm。
4.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的均衡器,其特征在于,所述均衡器的传输响应与所述电阻器的阻值有关,所述电阻器的阻值越小,所述传输响应的衰减越小。
5.根据权利要求2所述的基于基片集成波导的均衡器,其特征在于,所述均衡器的谐振频率与所述调节螺杆插入所述第四介质基板的深度有关,所述调节螺杆插入所述第四介质基板的深度越小,所述谐振频率越低。
6.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的均衡器,其特征在于,所述均衡器的谐振频率与所述中间层金属层的拉开长度有关,所述中间层金属层的拉开长度越大,所述谐振频率越高。
7.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的均衡器,其特征在于,所述第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板及第四介质基板的材料为介电常数为3的Taconic RF-30材料。
8.根据权利要求3所述的基于基片集成波导的均衡器,其特征在于,所述微带传输线的输入、输出端口的特性阻抗为50欧姆。
9.根据权利要求8所述的基于基片集成波导的均衡器,其特征在于,所述均衡器的工作频段为29GHz~34GHz。
10.根据权利要求9所述的基于基片集成波导的均衡器,其特征在于,所述均衡器在所述工作频段上实现-12dB~-2dB的增益控制。
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