[实用新型]一种加热保护电路和加热设备

权利要求书

1.一种加热保护电路，其特征在于，包括：可控硅驱动电路(10)、PTC加热装置(20)、负温度系数热敏电阻(30)、交流火线(ACL)和交流零线(ACN)；

所述交流火线(ACL)、所述可控硅驱动电路(10)、所述PTC加热装置(20)、所述负温度系数热敏电阻(30)和所述交流零线(ACN)之间依次串联形成回路。

2.根据权利要求1所述的加热保护电路，其特征在于，所述可控硅驱动电路(10)，包括：第一结点(101)、第二结点(102)、第三结点(103)和第四结点(104)；

所述第一结点(101)与所述交流火线(ACL)电连接；所述第二结点(102)与所述PTC加热装置(20)电连接；所述第四结点(104)接地；

其中，所述第三结点(103)，用于与单片机电连接。

3.根据权利要求2所述的加热保护电路，其特征在于，所述可控硅驱动电路(10)，还包括：第五结点(105)、可控硅(106)、三极管(107)、电容(108)、第一电阻(109)、第二电阻(110)、第三电阻(111)和第四电阻(112)；

所述可控硅(106)包括第一电极(1061)、第二电极(1062)和第三电极(1063)；

其中，所述第一电极(1061)与所述第一结点(101)电连接，所述第二电极(1062)与所述第二结点(102)电连接，所述第三电极(1063)与所述第五结点(105)电连接；

所述电容(108)的一端与所述第一结点(101)电连接，所述电容(108)的另一端与所述第五结点(105)电连接；

所述第一电阻(109)的一端与所述第五结点(105)，所述第一电阻(109)的另一端与所述第二电阻(110)的一端电连接；所述第二电阻(110)的另一端与所述三极管(107)的集电极(c)电连接；

所述三极管(107)的发射极(e)与所述第四结点(104)电连接，所述三极管(107)的基极(b)与所述第三电阻(111)的一端电连接；所述第三电阻(111)的另一端与所述第三结点(103)电连接；

所述第四电阻(112)的一端与所述三极管的基极(b)电连接，所述第四电阻(112)的另一端与所述第四结点(104)电连接。

4.根据权利要求3所述的加热保护电路，其特征在于，所述第一电极(1061)为所述可控硅(106)的T1电极，所述第二电极(1062)为所述可控硅(106)的T2电极，所述第三电极(1063)为所述可控硅(106)的G电极。

5.根据权利要求1所述的加热保护电路，其特征在于，所述负温度系数热敏电阻(30)在常温下的电阻阻值为22Ω，允许通过的最大电流值为2A。

6.一种加热设备，其特征在于，包括：加热保护电路；所述加热保护电路包括：可控硅驱动电路(10)、PTC加热装置(20)、负温度系数热敏电阻(30)、交流火线(ACL)和交流零线(ACN)；

所述交流火线(ACL)、所述可控硅驱动电路(10)、所述PTC加热装置(20)、所述负温度系数热敏电阻(30)和所述交流零线(ACN)之间依次串联形成回路。

7.根据权利要求6所述的加热设备，其特征在于，所述可控硅驱动电路(10)，包括：第一结点(101)、第二结点(102)、第三结点(103)和第四结点(104)；

所述第一结点(101)与所述交流火线(ACL)电连接；所述第二结点(102)与所述PTC加热装置(20)电连接；所述第四结点(104)接地；

其中，所述第三结点(103)，用于与单片机电连接。