[实用新型]射频功率放大电路

权利要求书

1.一种射频功率放大电路，其特征在于，包括谐波抑制节点和第一供电电源端，在所述谐波抑制节点和所述第一供电电源端之间设有第一谐波抑制电路，所述第一谐波抑制电路被配置为对所述谐波抑制节点上的谐波信号进行抑制。

2.如权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第一供电电源端被配置为接收第一供电电源提供的第一馈电电源信号，并将所述第一馈电电源信号提供至所述射频功率放大电路的射频信号输入路径，所述谐波抑制节点设置在所述射频功率放大电路的射频信号输入路径上。

3.如权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大电路还包括功率放大器，所述第一供电电源端被配置为接收第一供电电源提供的第一馈电电源信号，并将所述第一馈电电源信号提供至所述功率放大器的输出节点，所述谐波抑制节点设置在所述射频功率放大电路的射频信号输出路径上。

4.如权利要求2所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大电路还包括第一偏置电路，所述第一偏置电路包括第一偏置晶体管，所述第一偏置晶体管的第一端和第一偏置电源端口相连，所述第一偏置晶体管的第二端与所述第一供电电源端相连，所述第一偏置晶体管的第三端通过第一电阻耦合所述射频功率放大电路的射频信号输入路径上。

5.如权利要求4所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大电路还还包括第二偏置电路，所述第二偏置电路包括第二偏置晶体管，所述第二偏置晶体管的第一端和第二偏置电源端口相连，所述第二偏置晶体管的第二端与第二供电电源端相连，所述第二偏置晶体管的第三端通过第二电阻耦合所述射频功率放大电路的射频信号输入路径上；

在所述谐波抑制节点和所述第二供电电源端之间设有第二谐波抑制电路，所述第二谐波抑制电路被配置为对所述谐波抑制节点上的谐波信号进行抑制。

6.如权利要求5所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第二谐波抑制电路的谐振频率点和所述第一谐波抑制电路的谐振频率点不同。

7.如权利要求3所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述功率放大器通过输入端、射频信号输入路径以及输入节点接收输入的射频输入信号，并将放大后的射频输入信号通过输出节点、射频信号输出路径以及输出端输出；所述第一供电电源端还通过负载电路提供馈电电源信号至所述功率放大器的输出节点。

8.如权利要求1项所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第一谐波抑制电路被配置为对所述谐波抑制节点上的二次谐波信号进行抑制。

9.如权利要求1-8任一项所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第一谐波抑制电路包括串联连接的第一电感和第一电容。

10.如权利要求5所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第二谐波抑制电路包括串联连接的第二电感和第二电容。