[实用新型]薄膜传感器有效
| 申请号: | 202121479386.0 | 申请日: | 2021-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN215726504U | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
| 发明(设计)人: | 万蔡辛;俞江彬 | 申请(专利权)人: | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | G01L9/00 | 分类号: | G01L9/00;B32B25/00;B32B27/06;B32B27/28;B32B33/00 |
| 代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 传感器 | ||
1.一种薄膜传感器,其特征在于,包括:
基板;
位于基板之上的壳体,所述壳体与所述基板之间形成空腔,所述壳体包括将所述空腔与外部连通的连通孔;
芯片,位于所述基板之上,且位于所述空腔中;
疏水膜,所述疏水膜包覆在所述基板和所述芯片的外表面;以及
凝胶,所述凝胶填充于所述空腔中,所述凝胶的上表面高于所述芯片的上表面。
2.根据权利要求1所述的薄膜传感器,所述疏水膜选自自组装单分子膜。
3.根据权利要求2所述的薄膜传感器,形成所述自组装单分子膜的材料选自1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷。
4.根据权利要求1所述的薄膜传感器,所述基板选自PCB基板。
5.根据权利要求1所述的薄膜传感器,所述芯片包括:
专用集成电路,所述专用集成电路位于所述基板之上,
微机电系统,所述微机电系统位于所述专用集成电路之上,包括薄膜,所述薄膜用于感知外部环境的信号。
6.根据权利要求1所述的薄膜传感器,所述凝胶选自聚二甲基硅氧烷硅凝胶。
7.根据权利要求1所述的薄膜传感器,所述薄膜传感器选自气敏薄膜传感器、光敏薄膜传感器以及薄膜声音传感器中的任意一种。
8.根据权利要求7所述薄膜传感器,所述薄膜传感器采用栅格阵列封装。
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