[实用新型]薄膜传感器有效

专利信息
申请号: 202121479386.0 申请日: 2021-07-01
公开(公告)号: CN215726504U 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 万蔡辛;俞江彬 申请(专利权)人: 上海韦尔半导体股份有限公司
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00;B32B25/00;B32B27/06;B32B27/28;B32B33/00
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;张靖琳
地址: 201203 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 传感器
【权利要求书】:

1.一种薄膜传感器,其特征在于,包括:

基板;

位于基板之上的壳体,所述壳体与所述基板之间形成空腔,所述壳体包括将所述空腔与外部连通的连通孔;

芯片,位于所述基板之上,且位于所述空腔中;

疏水膜,所述疏水膜包覆在所述基板和所述芯片的外表面;以及

凝胶,所述凝胶填充于所述空腔中,所述凝胶的上表面高于所述芯片的上表面。

2.根据权利要求1所述的薄膜传感器,所述疏水膜选自自组装单分子膜。

3.根据权利要求2所述的薄膜传感器,形成所述自组装单分子膜的材料选自1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷。

4.根据权利要求1所述的薄膜传感器,所述基板选自PCB基板。

5.根据权利要求1所述的薄膜传感器,所述芯片包括:

专用集成电路,所述专用集成电路位于所述基板之上,

微机电系统,所述微机电系统位于所述专用集成电路之上,包括薄膜,所述薄膜用于感知外部环境的信号。

6.根据权利要求1所述的薄膜传感器,所述凝胶选自聚二甲基硅氧烷硅凝胶。

7.根据权利要求1所述的薄膜传感器,所述薄膜传感器选自气敏薄膜传感器、光敏薄膜传感器以及薄膜声音传感器中的任意一种。

8.根据权利要求7所述薄膜传感器,所述薄膜传感器采用栅格阵列封装。

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