[实用新型]一种基于超构材料的微纳折射率传感器有效
申请号: | 202121445841.5 | 申请日: | 2021-06-28 |
公开(公告)号: | CN215004981U | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 王涛;杨杰;张浩然;孙嘉诚;王高峰 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | G01N21/41 | 分类号: | G01N21/41;G01N21/25;G01N21/01 |
代理公司: | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 龙涛 |
地址: | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 材料 折射率 传感器 | ||
1.一种基于超构材料的微纳折射率传感器,其特征在于,包括等间距阵列设置的传感器单元,所述传感器单元包括由上至下依次设置的第一金属层、第一布拉格反射镜、介质层、第二布拉格反射镜和第二金属层,
所述第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜均包括GaAs层和AlGaAs层,所述GaAs层和AlGaAs层周期交替排列,
所述传感器单元设置通孔,所述通孔为正方形。
2.如权利要求1所述的一种基于超构材料的微纳折射率传感器,其特征在于,所述传感器单元的横剖面为正方形,边长为300nm~800nm。
3.如权利要求2所述的一种基于超构材料的微纳折射率传感器,其特征在于,所述第一金属层和第二金属层的材料为Ag,所述介质层的材料为InGaAsP。
4.如权利要求3所述的一种基于超构材料的微纳折射率传感器,其特征在于,所述第一金属层和第二金属层的厚度为40~100nm,所述介质层的厚度为75nm,所述GaAs层的厚度为114nm,所述AlGaAs层的厚度为130nm。
5.如权利要求1所述的一种基于超构材料的微纳折射率传感器,其特征在于,所述通孔的边长为172nm~344nm。
6.如权利要求5所述的一种基于超构材料的微纳折射率传感器,其特征在于,相邻所述通孔之间的间隔为86nm~258nm。
7.如权利要求1所述的一种基于超构材料的微纳折射率传感器,其特征在于,传感器的工作波长范围为1600nm~1800nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121445841.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种学前教育手工示范作品展示收纳柜
- 下一篇:一种用于联合收割机脱粒机构