[实用新型]一种短腔电光调Q激光器有效
申请号: | 202121440075.3 | 申请日: | 2021-06-28 |
公开(公告)号: | CN213878713U | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 彭艳红;杨毅 | 申请(专利权)人: | 四川光天下激光科技有限公司 |
主分类号: | H01S3/115 | 分类号: | H01S3/115;H01S3/06;H01S3/08;G02F1/03 |
代理公司: | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人: | 李安霞;谢一平 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电光 激光器 | ||
1.一种短腔电光调Q激光器,其特征在于:包括晶体(1)、偏振片(2)、RTP电光器件(3)、λ/4波片(4)、RTP绝缘座(6)、制冷组件、基座(10),所述偏振片(2)、RTP电光器件(3)、λ/4波片(4)同轴固定在RTP绝缘座(6)上,RTP绝缘座(6)固定在基座(10)上,偏振片(2)位于晶体(1)与RTP电光器件(3)之间,晶体(1)与偏振片(2)同轴,晶体(1)通过制冷组件固定在基座(10)上,所述RTP电光器件(3)包括两个电光晶体,两个电光晶体间隔设置,所述λ/4波片(4)位于两个电光晶体之间。
2.根据权利要求1所述的一种短腔电光调Q激光器,其特征在于:所述制冷组件包括晶体制冷侧板A(7)、晶体制冷侧板B(8),晶体制冷侧板A(7)固定在基座(10)上与基座(10)的凸起部分形成凹槽,晶体(1)通过晶体制冷侧板B(8)固定在凹槽内。
3.根据权利要求1或2所述的一种短腔电光调Q激光器,其特征在于:所述晶体(1)的表面涂有导热硅脂。
4.根据权利要求1或2所述的一种短腔电光调Q激光器,其特征在于:所述晶体(1)靠腔外的一侧镀有泵浦光波长增透膜、激光波长全反膜,晶体(1)靠腔内的一侧镀有激光波长增透膜。
5.根据权利要求1所述的一种短腔电光调Q激光器,其特征在于:所述两个电光晶体的光轴相互垂直,两个电光晶体的光轴与竖直方向的夹角均为45°。
6.根据权利要求1或5所述的一种短腔电光调Q激光器,其特征在于:所述两个电光晶体中靠近基座外侧的电光晶体的靠腔外的一侧镀有激光波长的半反膜。
7.根据权利要求1所述的一种短腔电光调Q激光器,其特征在于:所述RTP绝缘座(6)上开设有凹槽,偏振片(2)安装在凹槽内。
8.根据权利要求1所述的一种短腔电光调Q激光器,其特征在于:还包括波片底座(5),波片底座(5)固定在所述两个电光晶体之间,λ/4波片(4)安装在波片底座(5)上。
9.根据权利要求1所述的一种短腔电光调Q激光器,其特征在于:还包括压线片(9),压线片(9)与基座(10)可拆卸连接。
10.根据权利要求1所述的一种短腔电光调Q激光器,其特征在于:所述RTP电光器件(3)通过螺钉固定在RTP绝缘座(6)上,螺钉对应位置的基座上设置有深槽。
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