[实用新型]面射型激光器有效
申请号: | 202121366331.9 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN215645423U | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 林志东;曾评伟 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安集成电路有限公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/042 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 连耀忠 |
地址: | 361000 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 面射型 激光器 | ||
本实用新型公开了一种面射型激光器,包括自上而下设置的正面电极、接触层、P型DBR、限制层、谐振区、N型DBR、衬底和背面电极,P型DBR由若干高折射率层和低折射率层交替堆叠而成,其中至少部分低折射率层包括位于中部的第一折射率区域和位于外围的第二折射率区域,第二折射率区域的折射率低于第一折射率区域,且由正面电极至谐振区方向至少部分低折射率层的第二折射率区域在衬底上的投影边缘与其所在一侧的外围边缘的距离依次减小。本申请通过第二折射率区域与第一折射率区域的折射率差异控制VCSEL激光器发光的发散角,省去了另外制作透镜的繁琐工艺和材料消耗,减小了整体厚度。
技术领域
本实用新型涉及激光器技术领域,尤其涉及一种面射型激光器。
背景技术
面射型激光器是一种垂直于腔面射出激光的半导体器件。常见的面射型激光器由两面分散式布拉格反射器(DBR)平行于一个芯片主动反应区表面,此主动反应区是由一到数个量子阱所构成,使激光光带存在于其中。一个平面的DBR是由几层不同高低折射率的透镜所组成。每层透镜的厚度为四分之一的激光波长,并给予高反射强度。面射型激光器具有体积小、单纵模输出、阈值电流小、光电转换效率高、造价低等特点,可以广泛应用于光通信、光互联、光存储等领域。
目前对VCSEL激光器的光学出光角度的控制多采用外加透镜的方式来做,外加透镜可以在封装时加上透镜在表面,或是在VCSEL表面制作微透镜,这种后加透镜的方式一方面工艺繁琐、整合困难,另一方面增加了激光器的整体厚度。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足,提供一种面射型激光器。
为了实现以上目的,本实用新型的技术方案为:
一种面射型激光器,包括自上而下设置的正面电极、接触层、P型DBR、限制层、谐振区、N型DBR、衬底和背面电极,所述P型DBR由若干高折射率层和低折射率层交替堆叠而成,其中至少部分低折射率层包括位于中部的第一折射率区域和位于外围的第二折射率区域,第二折射率区域的折射率低于第一折射率区域,且由正面电极至谐振区方向所述至少部分低折射率层的第二折射率区域在所述衬底上的投影边缘与其所在一侧的外围边缘的距离依次减小。
在一些实施例中,由正面电极至谐振区方向所述至少部分低折射率层的第二折射率区域在所述衬底上的投影边缘与其所在一侧的外围边缘的距离先依次减小再依次增大。
在一些实施例中,由正面电极至谐振区方向所述至少部分低折射率层中的所述第二折射率区域具有不同折射率。
在一些实施例中,相近两个所述低折射率层的第二折射率区域在所述衬底上的投影边缘相差一段距离,所述一段距离为10-100微米。
在一些实施例中,所述第一折射率区域在所述衬底上的投影边缘为环形。
在一些实施例中,所述第一折射率区域在所述衬底上的投影边缘为圆形。
在一些实施例中,由正面电极至谐振区方向所述至少部分低折射率层的所述第一折射率区域在所述衬底上的投影边缘为圆形且同圆心。
在一些实施例中,所述限制层包括位于中部的电流注入口和位于外围的绝缘区域,所述至少部分低折射率层的第一折射率区域与所述电流注入口相对应。
在一些实施例中,所述绝缘区域的折射率大小在所述第二折射率区域的折射率范围内。
在一些实施例中,所述衬底为不透光衬底。
本实用新型的有益效果为:
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