[实用新型]具备倒装结构的垂直腔面发射激光器、垂直腔面发射激光器阵列有效

专利信息
申请号: 202121074067.1 申请日: 2021-05-19
公开(公告)号: CN215119537U 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 方照诒;郭浩中;潘德烈 申请(专利权)人: 北京金太光芯科技有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/0234;H01S5/026
代理公司: 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 代理人: 马栋敏
地址: 100006 北京市东城*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 具备 倒装 结构 垂直 发射 激光器 阵列
【权利要求书】:

1.具备倒装结构的垂直腔面发射激光器,包括衬底、设置于所述衬底之上的第一镜层、设置于所述第一镜层之上的活化层和设置于所述活化层之上的第二镜层,其特征在于,所述第二镜层之上设置钼金属层,所述第二镜层与所述钼金属层之间设置有上电极层,所述衬底与所述第一镜层之间设置有蚀刻制止层,所述蚀刻制止层材质不同于所述衬底材质,所述衬底设置光窗用于光线射出,且所述衬底的非光窗区域设置底部电极。

2.如权利要求1所述的具备倒装结构的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述钼金属层厚度为50~250微米。

3.如权利要求2所述的具备倒装结构的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第二镜层、所述活化层及靠近所述活化层的部分所述第一镜层设置载流子限制区。

4.如权利要求3所述的具备倒装结构的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述载流子限制区采用主动区平台蚀刻及平台侧壁氧化工艺设置,所述主动区平台之外的区域设置有填充物,所述填充物的填充高度与所述主动区平台的高度之比r的取值范围为0.8≤r≤1.2,所述上电极层设置于所述填充物和所述第二镜层之上。

5.如权利要求3所述的具备倒装结构的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述载流子限制区采用离子植入工艺设置,所述上电极层设置于离子植入区和所述第二镜层之上。

6.如权利要求4或5所述的具备倒装结构的垂直腔面发射激光器,其特征在于,在所述衬底对应于所述载流子限制区的位置设置光窗,除所述光窗之外的所述衬底下层设置底部电极。

7.具备倒装结构的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于,包括至少2个如权利要求1所述的具备倒装结构的垂直腔面发射激光器。

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