[实用新型]基准电压产生电路和振荡器

说明书

本申请提供一种基准电压产生电路和振荡器，其中，基准电压产生电路包括：级联的多个N沟道耗尽型MOS管，其中：对于任意相邻的两级N沟道耗尽型MOS管，前一级N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；第一级N沟道耗尽型MOS管的漏极用于连接电流源，第一级N沟道耗尽型MOS管的源极用于输出基准电压；最后一级N沟道耗尽型MOS管的栅极接地，最后一级N沟道耗尽型MOS管的源极通过限流电阻接地。本申请提供的技术方案，采用级联的N沟道耗尽型MOS管产生基准电压，可以有效的减小电路面积，降低电路成本。

技术领域

本申请涉及电路技术领域，尤其涉及一种基准电压产生电路和振荡器。

背景技术

随着科学技术的不断发展，电子设备的大规模普及应用，模拟集成电路应用的场景也越来越广。振荡器作为模拟集成电路中不可或缺的部分，是许多电子设备中的重要组成部分，因此，对振荡器的研究具有重要意义。

振荡器包括基准电压产生电路和振荡产生电路，其中，基准电压产生电路用于为振荡产生电路提供基准电压，振荡产生电路用于根据基准电压产生振荡信号；为了满足低电压低功耗的要求，目前，振荡器中的基准电压产生电路多采用带隙基准电压源电路实现。

随着集成电路技术的微型化发展需求，对基准电压产生电路的电路面积也提出了更高的要求，但是，目前的振荡器中的基准电压产生电路面积普遍比较大。

实用新型内容

有鉴于此，本申请提供一种基准电压产生电路和振荡器，用于减小基准电压产生电路的面积。

为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供一种基准电压产生电路，包括：级联的多个N沟道耗尽型MOS管，其中：

对于任意相邻的两级N沟道耗尽型MOS管，前一级N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；

第一级N沟道耗尽型MOS管的漏极用于连接电流源，第一级N沟道耗尽型MOS管的源极用于输出基准电压；

最后一级N沟道耗尽型MOS管的栅极接地，最后一级N沟道耗尽型MOS管的源极通过限流电阻接地。

在第一方面的一种可能的实施方式中，第一级N沟道耗尽型MOS管的源极通过电容接地。

通过电容可以对输出的基准电压进行稳压和滤波，提高输出的基准电压的平稳性。

在第一方面的一种可能的实施方式中，各N沟道耗尽型MOS管的阈值电压存在比例关系。这样可以方便电路设计。

在第一方面的一种可能的实施方式中，各N沟道耗尽型MOS管的阈值电压相等。这样可以更加方便电路设计。

在第一方面的一种可能的实施方式中，限流电阻为千欧级电阻。这样可以方便基准电压的计算，从而可以方便电路设计；而且也可以提升N沟道耗尽型MOS管的源极电压，从而就可以产生更高的基准电压。

第二方面，本申请实施例提供一种振荡器，包括：第一方面所述的基准电压产生电路、电流镜电路和振荡生成电路；

基准电压产生电路用于为振荡生成电路提供基准电压，并为电流镜电路提供基准电流；

电流镜电路用于根据基准电流为振荡生成电路提供充电电流；

振荡生成电路用于根据基准电压和充电电流产生振荡信号。

在第二方面的一种可能的实施方式中，电流镜电路包括第一P沟道增强型MOS管和第二P沟道增强型MOS管；