[实用新型]防止双枪输出短路的闭锁电路、输出控制电路以及充电桩

权利要求书

1.一种防止双枪输出短路的闭锁电路，其特征在于，与充电桩控制器相连，所述充电桩控制器包括：第一控制信号输出端、第二控制信号输出端以及第三控制信号输出端，所述电路包括：

继电器电源控制模块，包括：第一控制信号输入端，连接所述第一控制信号输出端；第二控制信号输入端，连接所述第二控制信号输出端；第三控制信号输入端，连接所述第三控制信号输出端；继电器电源控制输出端；

KM1直流接触器驱动模块，包括：连接所述第一控制信号输出端的第一KM1驱动输入端、连接所述继电器电源控制输出端的第二KM1驱动输入端以及连接KM1右枪直流接触器组的KM1驱动输出端；

KM2直流接触器驱动模块，包括：连接所述第二控制信号输出端的第一KM2驱动输入端、连接所述继电器电源控制输出端的第二KM2驱动输入端以及连接KM2左枪直流接触器组的KM2驱动输出端；

KM3直流接触器驱动模块，包括：连接所述第三控制信号输出端的第一KM3驱动输入端、连接所述继电器电源控制输出端的第二KM3驱动输入端以及连接KM3级联直流接触器组的KM3驱动输出端。

2.根据权利要求1中所述的防止双枪输出短路的闭锁电路，其特征在于，所述继电器电源控制模块包括：三与非门单元、电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管、双极性晶体管以及MOSFET晶体管；

其中，所述三与非门单元，包括：连接所述第一控制信号输出端的第一输入引脚A、连接所述第二控制信号输出端的第二输入引脚B、连接所述第三控制信号输出端的第三输入引脚C、与电源相连接的引脚VCC、接地的引脚GND以及引脚Y；所述电阻R2的一端连接所述引脚Y，另一端连接所述电阻R3以及所述MOSFET晶体管的栅极；所述电阻R3远离所述电阻R2的一端连接所述MOSFET晶体管的源极并接地；所述电阻R1的一端连接所述MOSFET晶体管的漏极，另一端和双极性晶体管基极相连；所述双极性晶体管的发射极连接24V直流电源，其集电极和所述二极管的阳极相连，所述二极管的阴极与所述继电器电源控制输出端相连。

3.根据权利要求1中所述的防止双枪输出短路的闭锁电路，其特征在于，所述KM1直流接触器驱动模块包括：KM1继电器、KM1二极管以及KM1延时驱动电路；

其中，所述KM1延时驱动电路包括：连接所述第一控制信号输出端的KM1延时驱动输入端以及KM1延时驱动输出端；所述KM1继电器包括：与所述KM1二极管阳极以及所述KM1延时驱动输出端相连的第一引脚、与所述KM1二极管阴极以及继电器电源控制输出端连接的第二引脚、与所述KM1右枪直流接触器组相连的第三引脚以及连接直流接触器电源正极的第四引脚。

4.根据权利要求3中所述的防止双枪输出短路的闭锁电路，其特征在于，所述KM1延时驱动电路包括：KM1电阻R4、KM1电阻R5、KM1电容C3以及KM1晶体管Q3；

其中，所述KM1电阻R4的一端连接所述第一控制信号输出端，另一端分别连接所述KM1电阻R5的一端、所述KM1电容C3的一端以及所述KM1晶体管Q3基极；所述KM1电阻R5的另一端连接所述KM1电容C3的另一端以及所述KM1晶体管Q3的发射极并接地；所述KM1晶体管Q3的集电极与所述KM1继电器的第一引脚以及所述KM1二极管阳极相连接。

5.根据权利要求1中所述的防止双枪输出短路的闭锁电路，其特征在于，所述KM2直流接触器驱动模块包括：KM2继电器、KM2二极管以及KM2延时驱动电路；

其中，所述KM2延时驱动电路包括：连接所述第二控制信号输出端的KM2延时驱动输入端以及KM2延时驱动输出端；所述KM2继电器包括：与所述KM2二极管阳极以及所述KM2延时驱动输出端相连的第一引脚、与所述KM2二极管阴极以及继电器电源控制输出端连接的第二引脚、与所述KM2左枪直流接触器组相连的第三引脚以及连接直流接触器电源正极的第四引脚。